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内容沉银工艺的介绍AlphaSTAR 的优势AlphaSTAR 流程药水的介绍AlphaSTAR 流程的控制操作返工方法常见问题处理生产操作生产品质控制问题什么是沉银工艺?堆积金属银在PWB裸露的铜线路上；堆积的金属银的作用是保护铜面；下面是Ag和Cu之间的置换反应方程式:Ag+ (aq) + e- = Ag(s) Eo= 0.799 voltsCu++(aq) + 2e- = Cu(s) Eo= 0.340 volts2Ag+ (aq) + Cu(s) = 2Ag(s) + Cu++(aq) Eo= 0.459 voltsAlphaSTAR优势相对于有铅和无铅喷锡有良好的可焊性和平整性出众的电抗腐蚀性较小的离子污染度对于装配助焊剂有良好的兼容性无焊接点的脆化性相对于ENIG成本低长达12 months的保质期符合 RoHS and WEEE 标准AlphaSTAR 优势长期而稳定的寿命以及简易的操作清洗容易无须额外清洗灵活的操作范围适应不同的OEMS的要求光线敏感度低适应于水平及其垂直生产线适中的温度控制无绿油攻击性良好的盲孔覆盖性可返工符合RoHS WEEE要求 控制离子 ( 1000 ppm): Hg Cr (VI) Pb PBB PBDE Cd ( 75 ppm)MDDS SGS 报告会有详细的说明。常见的HASL工艺.表面平整性较差AlphaSTAR 沉银工艺良好的表面平整性基本流程AlphaSTAR 100 CleanerStageDwell TimeTemp. (°C)AlphaSTAR 100 Cleaner20 – 40 sec25 – 35AlphaSTAR 200/220 Micro-etch40 – 60 sec25 – 35AlphaSTAR Pre-dip20 – 40 sec35 – 40AlphaSTAR ImmAg120 – 180 sec45 – 50 DIA水洗AlphaSTAR 200/220 Micro-etchDI 水洗AlphaSTAR Pre-dipAlphaSTAR ImmAgDI 水洗烘干药水介绍AlphaSTAR 100 Cleaner4种成分组成;清洁及除去铜面氧化/污迹;H2O2/H2SO4 为咬蚀铜面;AlphaSTAR 100M 为浸润剂，增强BGA的浸润性和平滑微蚀；AlphaSTAR 100S 为 H2O2的稳定剂; 药水比例:ComponentMake-up Conc.Range35%w/w H2O26.5%v/v5 – 8%v/vConc. H2SO40.3%v/v0.25– 0.35%v/vAlphaSTAR 100M5%v/v-AlphaSTAR 100S1%v/v-药水介绍AlphaSTAR 200/220 Micro-etch反应方程式; Na2SO5 + Cu = Na2SO4 + CuO CuO + H2SO4 = CuSO4 + H2OAlphaSTAR 200: 溶液AlphaSTAR 220: 固体使用柠檬酸是为了防止铜面氧化以便于沉银的反应进行；药水比例:AlphaSTAR 200AlphaSTAR 220ComponentMake-upRangeComponentMake-upRangeAlphaSTAR 20025%v/v20 – 30%v/vAlphaSTAR 220100 g/L90 – 110 g/LCitric Acid10 g/L-Conc. H2SO41.5%v/v1.0 – 2.0%v/v---Citric Acid5 g/L-药水介绍AlphaSTAR Pre-dip为铜面在进入沉银前提供一个与银缸类似的环境（温度、PH）;除去铜面在微蚀后形成的轻微氧化;防止过多的水以及污染物进入银缸;药水比例:ComponentMake-up Conc.RangeAlphaSTAR 300A30%v/v25 – 35%v/vAlphaSTAR 300B3%v/v2– 4%v/vCu+2Cu+2Cu+2Cu+2Cu+22Ag+2Ag+2Ag+2Ag+2Ag+Cu药水介绍AlphaSTAR ImmAg沉银反应的产生地;药水比例:ComponentMake-up Conc.RangeAlphaSTAR 300A30%v/v25 – 35%v/vAlphaSTAR 300B5%v/v4– 6%v/vAlphaSTAR Silver1.5%v/v1.0 – 2.0%v/vConc. HNO33 ml/L2 – 4 ml/L药水介绍AlphaSTAR ImmAg AlphaSTAR 300A: ? Ag Cu离子的配位剂; ? 降低 Ag-Cu 的电势差以便保证沉积的平整性; ? 防止Ag离子的自然析出.AlphaSTAR