沟槽栅低压功率mosfet的发展（下）——减小器件优值f.pdfVIP

沟槽栅低压功率 MOSFET 的发展（下） ——减小器件优值 FOM 张娜，吴晓鹏 北京工业大学功率器件及功率集成电路研究室 随着微电子行业的发展，微处理器正在代代更新，其性能更是迅速提高（如工作频率越来越 高等），这就要求其电流不断增大。同时，为了降低功耗，电源电压必须不断降低。下一代处理器 的供电电压将会降到 1.1V～1.8V，电流处理能力将达到 50A~100A [1] ，更多的功能将被集成在一 块处理器芯片上，并且处理器工作频率超过 2GHz 。这就对供电电源中的元器件提出了新的挑战。 需要使用特殊的电源，或电压调节模块（Voltage Regulator Modules ）为微处理器提供更低的电压 和更高的电流。 现在，大部分 VRM 都是使用传统的 Buck 电路（使用 Schottky 二极管整流）或同步整流 Buck 电路（使用整流管整流）。相对于传统 Buck 电路来说，同步整流 Buck 电路使用通态电阻极低的 MOSFET 代替了 Schottky 二极管，所以能很大程度上减小传导