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我国相变存储器的研究探究现状跟发展前景
专家论坛
ExpertForum
我国相变存储器的研究现状与发展前景
刘 波,宋志棠,封松林
(中国科学院 上海微系统与信息技术研究所 纳米技术研究室,上海 )
200050
摘要:介绍了我国相变存储器的研究现状及面临的关键问题。提出了我国相变存储器的发展思路
和目标:加强新型材料和器件结构等方面的基础研究,形成创新性的成果,同时加强专利战略布
局;加强与国内半导体公司的合作,共同推进相变存储器的产业化进程;探索相变存储器的新应
用领域,寻求在通信、金融、交通、医疗、身份证等领域的应用。
关键词:相变存储器;研究现状;发展前景
中图分类号: ; 文献标识码: 文章编号: ( )
TP601 TP334.5 A 1671-4776 2007 02-0055-07
CurrentSituationandDevelopingTrend
onPhase-ChangeMemoryinChina
, ,
LIUBo SONGZhi-tang FENGSong-lin
( , ,
LaboratoryofNanotechnology ShanghaiInstituteofMicrosystemandInformationTechnology
, , )
ChineseAcademyofSciences Shanghai200050 China
:
AbstractThecurrentsituationofphase-changememoryanditskeyissueswerereviewed.Thedevel-
:
opingstrategyanddestinationforChinesephase-changememorywasproposed strengtheningthefoun-
, ;
dationresearchonnewmaterialsanddevicestructure creatingmorefruitsandpatents enhancing
thecooperationwiththesemiconductorunitsinChina;co-boostingtheindustralprogressofphase-
; , , , ,
changememory exploringnewapplicationfields suchascommunications finance traffic medical
, ,
treatment andidentificationcard maybecomethemajorresearchobjectsforphase-changememory
applicationinChina.
: ( );
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