第五章二氧化铪金属闸极场效电晶体电性量测.PDFVIP

第五章 二氧化鉿金屬閘極場效電晶體的電性量測 5-1 緒論 本實驗所製作的場效電晶體為n通道的二氧化鉿金屬閘極場效電晶 體 ，分別設計了三種尺寸包，括了W/L=200µm/800µm ヽW/L=500µm/2000µm 和W/L=1100µm/2000µm ，我們量測了二氧化鉿金屬閘極場效電晶體的基本 電性 ，像是 I -V 特性ヽI -V 特性和I -V 等特性，從這些特性我們獲得 DS DS DS GS G GS 了次臨界斜率(subthreshold swing) ヽ臨界電壓 (threshold voltage) ヽ電導 (transconductance)和遷移率(mobility) 等資訊，又利用charge pumping的方法 量測了其界面缺陷密度，最後我們對二氧化鉿金屬閘極場效電晶體作正偏 壓溫度相關不穩定 (Positive Bias Temperature Instability,PBTI)測試 觀， 察在長 時正偏壓下其電性變化情形。 5-2 場效電晶體的電容特性 圖 5-1 是二氧化鉿金屬閘極場效電晶體的 C-V 特性，量測頻率為 100kHz由聚積狀態時的電容值我們換算出， SC1前處理未退火 ヽ經過600℃ 和 800℃退火後的二氧化鉿薄膜電容等效厚度分別為 2. 11nm ヽ2.3 nm 和 3.33nm ，而RTO前處理未退火 ヽ經過 600℃和 800℃退火後的二氧化鉿薄 膜電容等效厚度分別為 2.62nm ヽ2.72 nm和 3nm 這和第四章中由量測二氧， 化鉿電容得到的電容等效厚度相當接近，另外由於汲極和源極浮接 (floating) 的原因，電容值在反轉區由於沒有源極和汲極提供少數載子，所以在反轉 區的電容值並沒有上升，圖 5-2是 SC1前處理經過 800℃退火的二氧化鉿場 效電晶體，源極和汲極與矽基板等電位時的 C-V曲線，由聚積電容值和反 65 轉電容值相等，說明了 TaPt閘極沒有多晶矽閘極在反轉區閘極空乏 (gate depletion)的問題。 5-3 IDS-VDS特性 圖 5-3和圖 5-4 分別是SC1前處理和RTO前處理的二氧化鉿場效電晶體 的 IDS-VDS 特性，由於電晶體的通道長度為 800um ，其電流特性符合長通道 元件特性而沒有明顯的通道調變效應，而不論是SC1前處理或是RTO前處理 的二氧化鉿場效電晶體，在相同閘極電壓下的汲極電流皆隨著退火溫度升 高而增加 由。 5-1 式場效電晶體在飽和區時的汲極電流公式我們知道在相同 閘極電壓且相同元件尺寸下，影響汲極電流大小的因素包括了臨界電壓 ヽ 遷移率和絕緣層電容。由於退火後絕緣層電容變小，所以造成退火後汲極 電流增加的可能原因就是臨界電壓下降或是遷移率上升，在後續的小節將 會有詳細的討論 。最後我們發現 SC1前處理經過 600℃退火的二氧化鉿場效 電晶體其 I -V 曲線在低汲極電壓時並非線性的關係，這表示其串聯阻抗 DS DS 較大，可能是接觸窗蝕刻不良所造成。。 I W µ C (V −V )2 (5-1 式) D sat eff ox GS T , L 5-4臨界電壓 (threshold voltage) 圖 5-5和圖 5-6 分別是SC1前處理和RTO前處理的二氧化鉿場效電晶體 在汲極電壓為 50mV時的 IDS-VGS特性，而我們可以由IDS-VGS特性萃取出臨界 電壓，當場效電晶體操作在線性區 (linear region)時，其電流公式為 5-2 式， 對I -V 圖形微分可以得到電導值 (5-3 式) ，而利用電導值最大時的V