第三章与温差电相关理论.pptVIP

绝大多数半导体温差电材料都是固溶体合金材料，因此，合金散射也是载流子散射机制中不可忽略的一种。 格利克斯曼((汕cksman)研究了SiGe合金中合金散射的影响【20】，发现其迁移率随温度的变化规律为T-0.7—T-0.8，与理论结果较为接近。 然而，埃伦赖克对于InAs—InP合金的研究则说明：在室温附近。该合金系统中合金散射对迁移率的影响很小。 载流子对载梳子的散射本身并不直接影响载流子系统的迁移率，因为经过这种散射后，载流子系统的总动量保持不变。 但由于这种散射能使系统内动量进行重新分布，使其他散射机构对重新分布的载流子系统的作用有所改变。 例如，离化杂质散射对于能量较低的载流子的作用比能量高的载流子更大，散射几率更高，因而能量较高的载流子比能量低的载流子具有较长的平均自由程。 若载流子之间存在相互散射，载流子的能量分布会改变，能量较高的载流子数目会改变．从而导致离化杂质对载流子散射的平均效果发生了变化。 赫林(Herring)【21】的研究结果指出，对于离化杂质离子散射为主要散射机制的材料，载流子散射的存在，可以使迁移率降低到没有这—散射影响存在时的0．3%。 而对于材料中主要散射机构为声子散射的情况，载梳子散射的影响仅使迁移率降低到88％。 载流子—载流子散射的影响还与简并化的程度、温度等因素有关。 4.载流子散射 除了上述几种主要的载流子散射机构外，还存在中性杂质【