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X波段低噪声放大器的设计 　　摘 要：介绍了一款X波段低噪声放大器的设计与调试过程。设计采用NEC公司的HEMT晶体管NE3515S02制作，放大器采用两级级联，并利用先进系统软件进行噪声、稳定性、增益、驻波比等参数的仿真分析，同时绘制了电路板，然后使用三维建模软件 Autodesk inventor设计了放大器的壳体。制作的LNA指标为：在8.8 GHz～9.6 GHz频带内，功率增益为22 dB，带内平坦度小于1 dB，噪声系数小于1.5 dB，输入输出驻波比小于1.5。 　　关键词：低噪声放大器；噪声系数；驻波比；仿真分析 　　中图分类号：TN722 文献标识码：A 文章编号：2095-1302（2015）08-00-02 　　0 引 言 　　低噪声放大器（Low Noise Amplifier， LNA）是微波接收系统的核心器件之一，它对整个接收机系统的接收灵敏度和噪声性能起着决定性作用。通信和雷达技术的发展，对微波放大器也提出了更高的要求。低噪声，高增益，良好的带内平坦度，足够的带宽成为LNA越来越严格的指标[1，2]。 　　1 低噪声放大器的设计 　　LNA的设计主要包括：放大器指标的确认，晶体管选择，晶体管直流参数分析，稳定性分析，输入输出匹配电路的设计，级间匹配电路设计，偏置电路的设计，原理图和版图的联合仿真以及电路板制作与电路调试等。 　　1.1 设计指标与器件选择 　　本文设计的低噪声放大器期望指标如下：工作频率8.8GHz～9.6 GHz，增益22 dB，噪声系数小于1.5 dB，输入输出驻波比小于 1.5。 　　通过阅读各大器件公司的设计手册，最终选用NEC公司的砷化镓异质场效应晶体管NE3515S02。在经过适当匹配的情况下，在12 GHz下噪声指标为0.5 dB。由于其良好的噪声性能和带内平坦度，尤其适于工作频段为在2 GHz～18 GHz的低噪声放大器。基片采用Rogers公司的4350B，其相对介电常数εr=3.38，厚度h=0.508 mm，铜箔厚度T=0.035 mm。 　　1.2 偏置电路设计 　　偏置电路的设计是影响低噪声放大器性能的一个主要因素。偏置电路不仅能提供管芯所需的稳定电压和最大电流，使管芯稳定工作，同时可以滤除由管芯产生的各种高低频信号和谐波，起到信号隔离的作用[3]。 　　偏置电路包含电源滤波模块，电压转化模块，射频滤波模块，通过阅读数据手册得到晶体管的静态工作点为Vds=2 V，Ids=60 mA，Vgs=-0.8 V，晶体管需要采用常用的正负5 V双电源进行供电，为保证其正常工作，需要对供电电路进行电压转化，并对电源信号进行滤波处理，以减小电源信号中的谐波分量对放大器噪声的影响，同时，设计相应的滤波电路，防止射频信号通过偏置电路向外泄露[4]。偏置电路示意图如图1所示。 　　2 稳定性分析与匹配电路设计 　　2.1 稳定性分析 　　要使放大器在频带范围内稳定工作，需要对放大器进行稳定性设计。如果放大器存在潜在的不稳定情况，有可能导致放大器自激振荡从而烧坏晶体管。因此必须保证放大器在 工作频带内绝对稳定[5]。放大器的绝对稳定条件可以用稳定系数K来描述： 　　2.2 匹配电路设计 　　图3所示是微波器件的二端口网络框图[1]，其中，Γ1，Γ2分别为输入，输出反射系数，ΓS，Γl分别为信源和负载的反射系数，输入匹配电路主要考虑放大器的噪声系数 　　匹配网络的作用不仅可实现源与负载间的理想功率传输，还具有减小噪声干扰、提高功率容量和提高频率响应的线性度等功能。设计时，输入匹配电路按照最小噪声匹配，级间电路按照最大功率传输进行匹配，在兼顾最小噪声、信号增益、输入输出回波损耗以及带内平坦度的前提下， 还可对原理图进行整体的仿真优化。 　　3 优化仿真与测试 　　3.1 联合仿真及优化 　　在ADS设计中，原理图的仿真并没有考虑微带线，微带线拐角，电路焊盘，接地孔，平行微带等因素的电磁效应，这些因素会对放大器的性能产生很大影响。为了创建精确的仿真模型，需要对放大器进行电磁联合仿真，创建电路的实际布局模型，将原理图仿真中使用的理想电容、电感、电阻用实际模型取代，并对联合仿真进行优化。 　　3.2 测试与调试 　　放大器的介质基板选用Rogers 4350B，介电常数为3.38，板厚0.508 mm，使用Altium Designer 进行电路板的绘制，根据电路板的尺寸，使用三维建模软件Autodesk Inventor进行电路壳体的设计，最终电路实物如图4所示。 　　设计中，介质基板需要充分接地。为保证信号不向外泄露，需要使用穿心电容穿过壳体，供电电线使用同轴线，以保证射频信号不通过电线泄露[6]。由于X波段波长比较短，微带电路的加