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第十六章 刻蚀：16.1 引言刻蚀：利用化学或物理的办法有选择的去除不需要材料的工艺过程。刻蚀的要求取决于要制作的特征图形的类型，特征尺寸的缩小使刻蚀工艺中对尺寸的控制要求更严格。大马士革工艺重点在于介质的刻蚀而不是金属的刻蚀。刻蚀在CMOS技术中的应用Photoresist maskPhotoresist maskProtected filmFilm to be etched(a) Photoresist-patterned substrate(b) Substrate after etchWafer fabrication (front-end) Wafer startThin FilmsPolishUnpatterned waferDiffusionPhotoEtchCompleted waferTest/SortImplant在晶片厂中的位置第十六章 刻蚀：16.1 引言刻蚀工艺：干法刻蚀、湿法刻蚀从材料来划分，刻蚀分为金属刻蚀、介质刻蚀和硅刻蚀有图形刻蚀、无图形刻蚀16.2 刻蚀参数刻蚀速率刻蚀剖面刻蚀偏差选择性均匀性残留物聚合物等离子体诱导损伤颗粒沾污和缺陷 ?T = change in thickness?Tt = elapsed time during etchStart of etchEnd of etch刻蚀速率光刻胶对刻蚀剂有高抗蚀性Isotropic etch - etches in all directions at the same rateResistFilmSubstrate湿法各向同性化学腐蚀钻蚀Figure 16.4 Anisotropic etch - etches in only one directionResistFilmSubstrate具有垂直刻蚀剖面的各向异性刻蚀Figure 16.5 湿法刻蚀和干法刻蚀的侧壁剖面Table 16.1 WbBiasWaBiasResistResistFilmFilmSubstrateSubstrate(b)(a)刻蚀偏差Figure 16.6 UndercutResistOveretchFilmSubstrate刻蚀中的横向钻蚀和倾斜Figure 16.7 ErEfEfNitrideS = ErOxide刻蚀选择比Figure 16.8 Randomly select 3 to 5 wafers in a lotMeasure etch rate at 5 to 9 locations on each wafer, then calculate etch uniformity for each wafer and compare wafer-to-wafer.刻蚀均匀性Figure 16.9 Plasma ionsResistOxideSiliconPolymer formation聚合物侧壁钝化来提高各向异性Figure 16.10 第十六章 刻蚀：16.2 刻蚀参数残留物等离子体诱导损伤颗粒沾污和缺陷第十六章 刻蚀：16.3 干法刻蚀干法刻蚀优点：1、刻蚀剖面具有各向异性，具有非常好的 侧壁剖面控制；2、好的CD控制；3、最小的光刻胶脱落或粘附问题；4、好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性；5、较低的化学制品使用和处理费用干法刻蚀缺点：对下层材料的差刻蚀选择比、等离子体损伤以及昂贵的设备RF generatorAnode 1) Etchant gases enter chamberElectric fieldEtch process chamberGas deliveryBy-productsl 8) By-product removal 2) Dissociation of reactants by electric fields 3) Recombination of electrons with atoms creates plasmaExhaustl 4) Reactive +ions bombard surface 5) Adsorption of reactive ions on surface 6) Surface reactions of radicals and surface film 7) Desorption of by-productsAnisotropic etchIsotropic etchSubstrateCathodeFigure 16.11 硅片的等离子体刻蚀过程溅射表面材料物理刻蚀化学刻蚀副产物的解吸附反应正离子轰击表面原子团与表面膜的表面反应各向同性刻蚀各向异性刻蚀化学和物理的干法刻蚀机理Figure 16.12 化学干法等离子体刻蚀和物理干法等离子体刻蚀Table 16.3 RF-V