微电子器件58).pptxVIP

5.8.1 小尺寸效应 1、阈电压的短沟道效应 实验发现，当 MOSFET 的沟道长度 L 缩短到可与源、漏区的结深 xj 相比拟时，阈电压 VT 将随着 L 的缩短而减小，这就是 阈电压的短沟道效应 。 原因：漏源区对 QA 的影响 代表沟道下耗尽区的电离杂质电荷面密度。考虑漏源区的影响后，QA 应改为平均电荷面密度 QAG 。 减轻阈电压短沟道效应的措施 2、阈电压的窄沟道效应 实验发现，当 MOSFET 的沟道宽度 Z 很小时，阈电压 VT 将随 Z 的减小而增大。这个现象称为 阈电压的窄沟道效应。 5.8.2 迁移率调制效应 1、VGS 对 ? 的影响 当 VGS 较小时， 当 VGS VT 且继续增大时，垂直方向的电场 E x 增大，表面散射进一步增大，? 将随 VGS 的增大而下降， 式中， 式中， N 沟道 MOSFET 中的典型值为 2、VDS 对 ? 的影响 VDS 产生水平方向的电场 Ey 。当 Ey 很大时，载流子速度将趋于饱和。简单的近似方法是用二段直线来描述载流子的 v ~ Ey 关系，? = vvmaxEyv = 0EC 3、速度饱和对饱和漏源电压V?Dsat的影响 短沟道 MOSFET 中，因沟道长度 L 很小， 很高，使漏极附近的沟道尚未被夹断之前，Ey 就达到了临界电场 EC ，载流子速度 v (L) 就达到了饱和值 vmax ，从而使 ID 饱和。 已知 VDsat = VGS – VT 为使沟道夹断的饱和漏源电压，也就是使 Qn (L) = 0 的饱和漏源电压。 现设 V?Dsat 为使 v (L) = vmax 的饱和漏源电压。经计算， 可见，V?Dsat 总是小于 VDsat 。 对于普通 MOSFET， 特点：饱和漏源电压与 L 无关。 对于短沟道 MOSFET， 特点：饱和漏源电压正比于 L ，将随 L 的缩短而减小。 4、速度饱和对饱和漏极电流I?Dsat的影响 设 I?Dsat 为使 v (L) = vmax 的漏极饱和电流，经计算， 对于普通 MOSFET， 特点： 对于短沟道 MOSFET， 特点： 5、速度饱和对跨导的影响 普通 MOSFET 在饱和区的跨导为特点： 短沟道 MOSFET 在饱和区的跨导为 特点： 与 ( VGS -VT ) 及 L 均不再有关，这称为 跨导的饱和。 6、速度饱和对最高工作频率的影响 由式 (5-142b)，普通 MOSFET 的饱和区最高工作频率为 特点：fT 正比于 (VGS - VT)，反比于 L2 。 将短沟道 MOSFET 的饱和区跨导代入式 ( 5-142b ) ，得短沟道 MOSFET 的饱和区最高工作频率为 特点：f?T 与 VGS 无关，反比于 L 。 5.8.3 漏诱生势垒降低效应 当 MOSFET 的沟道很短时，漏 PN 结上的反偏会对源 PN 结发生影响，使漏源之间的势垒高度降低，从而有电子从源 PN 结注入沟道区，使 ID 增大。 1、表面 DIBL 效应 VFB VGS VT 时，能带在表面处往下弯，势垒的降低主要发生在表面，它使亚阈电流 IDsub 产生如下特点： ① L 缩短后，ID ~ VGS 特性曲线中由指数关系过渡到平方关系的转折电压（即阈电压 VT ）减小。 ② 普通 MOSFET 的 IDsub 当 VDS (3 ~ 5) (kT/q) 后与 VDS 无关，短沟道 MOSFET 的 IDsub 则一直与 VDS 有关。 ③ 亚阈区栅源电压摆幅的值 随 L 的缩短而增大，这表明短沟道 MOSFET 的 VGS 对 IDsub 的控制能力变弱，使 MOSFET 难以截止。 2、体内 DIBL 效应 VGS VFB 时，能带在表面处往上弯，表面发生积累，势垒的降低主要发生在体内，造成体内穿通电流 。而穿通电流基本上不受 VGS 控制，它也使 MOSFET 难以截止。 5.8.4 强电场效应 1、衬底电流 Isub 夹断区内因碰撞电离而产生电子空穴对，电子从漏极流出而成为 ID 的一部分，空穴则由衬底流出而形成衬底电流 Isub 。 衬底电流的特点：Isub 随 VGS 的增大先增加，然后再减小，最后达到 PN 结反向饱和电流的大小。 原因：衬底电流可表为 ；而夹断区内的电场可表示为 对于固定的 VDS ，当 VGS 增大时，ID 增加；但 Ey 减小，使 αi 减小，即当 VGS 增大时 当 VGS 较小时，ID 的增大超过αi 的减小，使 Isub 增加。 当 VGS 较大时，ID 的增大不如αi 的减小，使 Isub 减小。 当 VGS