微电子器件31与32.pptxVIP

集电极发射极发射结集电结发射区基区集电区基极3.1 双极晶体管的基础由两个相距很近的pn结组成：基区宽度远远小于少子扩散长度分为：npn和pnp两种形式1、双极型晶体管的结构 一侧称为发射区，电极称为发射极，用E或e表示（Emitter）； 另一侧称为集电区和集电极，用C或c表示（Collector）。 双极型晶体管的结构示意图如图所示。它有两种类型:npn型和pnp型。 c-b间的pn结称为集电结(Jc)e-b间的pn结称为发射结(Je) 中间部分称为基区，连上电极称为基极，用B或b表示（Base）；两种极性的双极型晶体管 双极型晶体管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。2、偏压与工作状态 加在各PN 结上的电压为：PNP 管：NPN管： 根据两个结上电压的正负，晶体管可有 4 种工作状态：E 结 ＋ ＋ － －C 结 － ＋ － ＋工　作　状　态放大状态，用于模拟电路饱和状态，用于数字电路截止状态，用于数字电路倒向放大状态3、少子分布与能带图放大状态：饱和状态：截止状态：倒向放大状态： 4、NPN 晶体管在 4 种工作状态下的能带图： NPN 晶体管在平衡状态下的能带图：NPNECEFEV NPN 晶体管在 4 种工作状态下的能带图：放大状态：饱和状态：截止状态：倒向放大状态：3-2 均匀基区晶体管的放大系数1、晶体管的放大作用 均匀基区晶体管：基区掺杂为均匀分布。少子在基区中主要作扩散运动，又称为 扩散晶体管。 缓变基区晶体管：基区掺杂近似为指数分布，少子在基区中主要作漂移运动，又称为 漂移晶体管。 要使晶体管区别于两个二极管的串联而具有放大作用，晶体管在结构上必须满足两个基本条件： （1） 基区必须很薄，即WB LB ； （2） 发射区的杂质总量远大于基区，当WE 与WB 接近时，即要求 NE NB 。PNPIEICECNENBNCIBBB 晶体管放大电路有两种基本类型，即 共基极接法 与 共发射极接法 。 先讨论共基极接法（以PNP 管为例）： 为了理解晶体管中的电流变化情况，先复习一下 PN 结中的电流：P区N区0V 忽略势垒区产生复合电流， 处于放大状态的晶体管内部的各电流成分如下图所示： 从 IE 到 IC ，发生了两部分亏损： InE 与 In r 。 要减小 InE ，就应使NE NB ； 要减小In r ，就应使WB LB 。PNPIEICECNENBNCIBBB 定义：发射结正偏，集电结零偏时的 IC 与 IE 之比，称为共基极直流短路电流放大系数，记为α，即：CICPIBNBPIEEE 共发射极接法： 定义：发射结正偏，集电结零偏时的 IC与 IB 之比，称为共发射极直流短路电流放大系数，记为β，即： 根据 ，及 的关系，可得β与α之间有如下关系： 对于一般的晶体管，α= 0.950～0.995，β = 20～200 。 定义：由发射结注入基区的少子电流 IpE 与总的发射极电流IE 之比，称为 注入效率（或 发射效率），记为 ，即：2、电流放大系数中间参数的定义 定义：基区中到达集电结的少子电流 IpC 与从发射结注入基区的少子电流 IpE 之比， 称为 基区输运系数，记为β*，即： 由于空穴在基区的复合，使 JpC JpE 。3.基区传输系数1)用电流密度方程求基区传输系数用连续性方程求解基区非平衡载流子浓度 这里必须采用薄基区二极管的精确结果 ，即:pB(x)近似式，忽略基区复合pB(0)精确式，考虑基区复合xWB0 根据基区输运系数的定义，得： 再利用近似公式：( x 很小时），得： 静态下的空穴电荷控制方程为：2)利用电荷控制法来求β* 。JpEJpCEBC0WB 另一方面，由薄基区二极管的 近似 公式： 从上式可解出： ，代入 Jpr 中，得： 上式中， 即代表了少子在基区中的复合引起的电流亏损所占的比例。要减少亏损，应使WB↓，LB↑。 β＊的典型值：WB =1μm，LB =10 μm ，β＊= 0. 9950 。。因此 又可表为：3、基区渡越时间 定义：少子在基区内从发射结渡越到集电结所需要的平均时间，称为少子的 基区渡越时间，记为 。 可以设想，在 期间，基区内的少子全部更新一遍，因此：。将：