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三机无刷励磁系统控制的研究新的方法浅析 　　摘要 ：本文介绍一种将模拟电阻（软件方法模拟的电阻）串联在主励磁机磁场绕组中进行设计计算的方法，应用于大型机组三机无刷励磁系统并使其具有高起始响应特性。串联模拟电阻相当于等效降低主励磁机时间常数，提高三机无刷励磁系统响应比。结合励磁调节器(AVR)数学模型，提出串联模拟电阻方法的实现机理及参数设计方法，并成功将之应用于工程实践。 　　关键词：三机无刷励磁系统;高起始响应;自动电压调节器; 模拟电阻 　　中图分类号：TM54 文献标识码：A 文章编号： 　　1. 前言 　　本文根据某电厂600MW三机无刷励磁机组励磁控制系统改造工程，提出在无刷励磁机磁场绕组串联模拟电阻的方法，综合解决缩短时间常数、达到高起始电压响应比等问题，保证三机无刷励磁方式与自并励静止励磁方式具有相同的AVR模型响应特性。 　　2.串联模拟电阻缩短时间常数 　　从三机无刷励磁系统的典型接线可知，励磁控制是通过具有1~2秒时间常数的交流无刷励磁机环节来实现，属于惯性控制系统，目前用于补偿惯性控制系统特性的方法通过是在电压自动调节器（AVR）上增加微分环节，但这仅是解决电压闭环调节稳定性的问题，未能从根本上解决励磁机时间常数过长的问题。 　　实际上，降低主励磁机时间常数最直接的方法就是在交流励磁机磁场回路中串联线性电阻，如图2所示。这样主励磁机时间常数为： 　　 　　图2 串联补偿电阻示意图 　　图中：Rce为串联补偿电阻 Rex,Lex为主励机磁场绕组电阻和电感 　　 （1） 　　式中：为主励磁机固有时间常数 　　为补偿电阻与主励磁机磁场电阻的比值。 　　一般地，主励磁机时间常数约为1.5秒，若将时间常数缩短为0.1秒，则补偿电阻须为主励磁机磁场绕组的14倍，串联电阻后，系统热损耗将大大增加，不仅不经济，而且散热问题也难以解决。有没有可能将补偿电阻的作用纳入AVR的程序中呢？答案是肯定的。 　　三机无刷励磁系统运行中，主励磁机励磁电压即为可控硅整流桥输出电压，而可控硅整流桥输出电压由AVR控制，如果在AVR控制输出前将串联电阻的作用先行计算，则主励磁机励磁电压与串联电阻后的作用等效，这种在AVR程序中实现的电阻，我们称之为模拟电阻。 　　AVR中设计程序仿照模拟电阻原理，测量主励磁机励磁电流，与模拟电阻阻值及整流器放大倍数计算后，和AVR计算控制信号叠加后输出控制可控硅整流器。 　　这样，串联模拟电阻后，可控硅整流器及主励磁机环节增益系数和时间常数变为： 　　 （2） 　　转换为标么值后，（2）各量变为式（3）： 　　 （3） 　　式中：为可控硅整流器最大输出电压与励磁基值电压的比值，为模拟电阻控制参数（程序定值） 　　可见，串联模拟电阻作用与串联实际线性电阻作用等效，且没有多余的热量损耗，提高了励磁系统效益。 　　 　　3. 模拟电阻应用实例 　　某电厂有2台600MW机组，采用无刷励磁方式，原励磁系统采用国外进口产品，采用强微分参数补偿主励磁机时间常数，此次进行技术改造，采用国产某型号微机励磁系统，新励磁系统使用串联模拟电阻的方法补偿主励磁机时间常数。 　　根据机组参数可以计算出，可控硅整流器输出电压顶值电压倍数为20.4（按最小触发角15度计算），其相对于空载电压的放大倍数为Ks=80.4，串联模拟电阻后按照式（4）计算其电压大扰动时主励磁机励磁响应时间为： 　　 　　即励磁系统满足高起始响应（HIR）系统的要求。调试中取模拟电阻系数Kh=0.3，按式（3）计算模拟电阻补偿倍数为24.12，则可控硅整流器及主励磁机等效动态响应时间常数缩短为1.873/25.12=0.075s，等效放大倍数为80.4/25.12=3.2，新励磁系统AVR采用TGR模型。 　　采用空载阶跃响应试验调试TGR参数，结果显示只采用积分环节，机端电压阶跃响应波形也可满足标准要求，且与常规自并励静止励磁系统的响应波形相似，表4为TGR参数，图11为空载5%机端电压阶跃响应波形。 　　表4：TGR模型参数 　　KA TC2 TB2 TC1 TB1 　　240 1.0 10.0 0.04 0.02 　　 　　图11发电机空载5%额定机端电压阶跃响应波形 　　上述600MW机组三机无刷励磁系统应用结果显示，采用串联模拟电阻方法，可以保证三机无刷励磁系统动态响应特性与自并励静止励磁系统相同，另外，三机无刷励磁系统没有碳刷更换等日常维护工作量，无刷励磁系统励磁电源设计灵活，既可以采用它励方式，也可以采用自励方式。因此，从技术层面上，在大容量机组励磁系统应用上，三机无刷励磁系统优点更多，更适于600MW及以上容量机组励磁系统的应用。 　　 　　6. 总结 　　本文从在主