MoSi2价电子结构分析和结合能计算.PDFVIP

第 17 卷第 2 期 中国有色金属学报 2007 年 2 月 Vol.17 No.2 The Chinese Journal of Nonferrous Metals Feb. 2007 文章编号：1004-0609(2007)02-0216-06 MoSi2 价电子结构分析及结合能计算 1 1 2 1 彭 可 ，易茂中 ，陶辉锦 ，冉丽萍 (1. 中南大学 粉末冶金国家重点实验室，长沙 410083; 2. 中南大学 材料科学与工程学院，长沙 410083) 摘 要：根据固体与分子经验电子理论，通过键距差(BLD)方法，计算了金属间化合物 MoSi2 的价电子结构和理 论结合能。结果表明，MoSi2 理论结合能为 1 677.1 kJ/mol，与实验值吻合。由于 Si 原子偏移，沿〈001〉方向分 布的 Si—Si 原子键共价电子数最多，nD=0.402 04 。MoSi2 晶体中含有较高密度的晶格电子，使MoSi2 具有良好的 导电性。MoSi2 晶体中键络分布不均匀性是导致晶体脆性的主要原因。 关键词：二硅化钼；价电子；结合能；脆性 中图分类号：TG 148 文献标识码：A Valence electronic structure analysis and cohesive energy calculation of MoSi2 1 1 2 1 PENG Ke , YI Mao-zhong , TAO Hui-jin , RAN Li-ping (1. State Key Laboratory of Powder Metallurgy, Central South University, Changsha 410083, China; 2. School of Materials Science and Engineering, Central South University, Changsha 410083, China) Abstract: According to the empirical electron theory of solid and molecule, the valence electron structure and theoretical cohesive energy of MoSi were calculated by the BLD method. The results show that the theoretical cohesive energy of 2 MoSi2 is 1 677.1 kJ/mol, which agrees well with the experimental data. Because of a shift in Si positions, the valence electrons between Si—Si atoms along 001 direction are the most (nD = 0.402 04). There are lattice