PMEG2010AEB,115;中文规格书,Datasheet资料.pdfVIP

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D319 PMEG2010AEB 20 V, 1 A ultra low VF MEGA Schottky barrier rectifier in SOD523 package Product data sheet 2003 Dec 03 / NXP Semiconductors Product data sheet 20 V, 1 A ultra low V MEGA Schottky F PMEG2010AEB barrier rectifier in SOD523 package FEATURES QUICK REFERENCE DATA • Forward current: 1.0 A SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT • Reverse voltage: 20 V IF forward current 1 A • Ultra low forward voltage VR reverse voltage 20 V • Ultra small SMD package. PINNING APPLICATIONS PIN DESCRIPTION • Low voltage rectification 1 cathode • High efficiency DC/DC conversion 2 anode • Voltage clamping • Inverse-polarity protection • Low power consumption applications. 1 2 DESCRIPTION Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Top view col001 Schottky barrier rectifier with an integrated guard ring for st

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