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北航材力实验报告 篇一：北航材力试验复习 　　几点说明 　　1）实验总结本人原创，可能实验不全（空心圆轴主应力那个实验好像不要求），如有疑问或发现漏洞，欢 　　迎沟通和指教，让我们一起完善它~ 　　2）各实验参考值为当时实验的理论值，可能与考试时会有出入，仅供参考。 3）半桥及全桥连线都有说明，即字母后的导线应连到相应字母接线端。 4）本总结仅供北航同学参考~望大家取得理想成绩篇二：北航电力电子实验报告　　电力电子实验报告 　　学号 姓名  　王天然 　　实验一 功率场效应晶体管(MOSFET)特性　　与驱动电路研究　　一．实验目的： 　　1．熟悉MOSFET主要参数的测量方法 2．掌握MOSEET对驱动电路的要求 　　3．掌握一个实用驱动电路的工作原理与调试方法 二．实验设备和仪器 　　1． NMCL-07电力电子实验箱中的MOSFET与PWM波形发 　　生器部分 2．双踪示波器　　3．安培表（实验箱自带） 　　图2-2 MOSFET实验电路 　　4．电压表（使用万用表的直流电压档） 三．实验方法　　1．MOSFET主要参数测试 （1）开启阀值电压VGS(th)测试　　开启阀值电压简称开启电压，是指器件流过一定量的漏极电流时（通常取漏极电流ID=1mA)的最小栅源极电压。　　在主回路的“1”端与MOS 管的“25”端之间串入毫安表（箱上自带的数字安培表表头），测量漏极电流ID，将主回路的“3”与“4”端分别与MOS管的“24”与“23”相连，再在“24”与“23”端间接入电压表, 测量MOS管的栅源电压Vgs，并将主回路电位器RP左旋到底，使Vgs=0。　　极电流ID=1mA时的栅源电压值即为开启阀值电压VGS（th）。 读取6—7组ID、Vgs，其中ID=1mA必测，填入下表中。　　（2）跨导gFS测试　　双极型晶体管（GTR）通常用hFE（β）表示其增益，功率MOSFET器件以跨导gFS表示其增益。　　跨导的定义为漏极电流的小变化与相应的栅源电压小变化量之比，即gFS=△ID/△VGS。　　★ 注意典型的跨导额定值是在1/2额定漏极电流和VDS=15V下测得，受条件限制，实验中只能测到1/5额定漏极电流值，因此重点是掌握跨导的测量及计算方法。　　根据上一步得到的测量数值，计算gFS=0.0038Ω　　DS导通电阻定义为RDS=VDS/ID　　将电压表接至MOS 管的“25”与“23”两端，测量UDS，其余接线同上。改变VGS 从小到大读取ID与对应的漏源电压 VDS，测量6组数值，填入下表中。　　（4）ID＝f（VSD）测试　　ID＝f（VSD）系指VGS＝0时的VDS特性，它是指通过额定电流时，并联寄生二极管的正向压降。　　a． 在主回路的“3”端与MOS管的“23” 端之间串入安培表，主　　回路的“4”端与MOS管的“25”端相连，在MOS管的“23”与“25”之间接入电压表，将RP右旋转到底，读取一对ID与VSD的值。篇三：北航-材料力学实验报告-切变模量G的测定 　　一、实验目的 　　1.了解用电阻应变测试方法、扭角仪测试方法测定材料扭转时的剪切弹性模量G的方法； 2.测定试件材料的剪切弹性模量；　　3.理解剪切弹性模量的定义和变形方式。 二、实验原理　　（一）电测法测切变模量　　材料扭转时，剪应力与剪应变成线性比例关系范围内剪应力τ与剪应变γ之比称剪切弹性模量或切变模量，以G表示即：　　G?　　?? 　　上式中的?和?（或以δ表示）均可由实验测定，其方法如下。 　　在试件的前后表面A、C两点处分别贴上应变片： 　　试件贴片处扭转切应力为 　　??　　TWp 　　式中，Wp为抗扭截面系数。 　　实验采用等量逐级加载法。设各级扭矩增量为?Ti，应变仪读数增量为??ri，从每级加载中，可求得切变模量为　　验证胡克定律：