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高增益、高探测效率的硅光电倍增器件研究-生物医学工程专业论文
独创性声明
本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研 究成果。尽我所知,除文中已经标明引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或 集体已经发表或撰写过的研究成果。对本文的研究做出贡献的个人和集体,均已在 文中以明确方式标明。本人完全意识到,本声明的法律结果由本人承担。
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学位论文版权使用授权书
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不保密□。
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学位论文作者签名: 指导教师签名:
日期: 年 月 日 日期: 年 月 日
华
华 中 科 技 大 学 硕 士 学 位 论 文
I
I
摘 要
近年来,由于弱光探测技术的不断发展,新型光电探测器的研究和应用进入了 一个新的阶段。光电探测器是弱光探测系统的核心基础部件,在核电站辐射测量及 防护、医疗仪器、石油油田测井和地质勘探等领域被广泛应用。从 20 世纪 50 年代 以来,人们在弱光探测的研究与应用中应用最广泛的光电探测器件是以真空管为基 础的光电倍增管(Photomultiplier,简称 PMT),这种探测器探测面积大,倍增增益 高,可达到 106~107 的信号放大倍数,因而具有单光子探测能力。但由于这种器件是 真空管结构,使得制作工艺十分复杂且成本昂贵,器件工作电压超过 1 KV,体积大 且对电磁的干扰非常敏感等缺点,使得人们开始寻找新的替代品进行弱光应用的研 究。随着半导体行业的飞速发展,诸如 PIN 光电二极管、雪崩光电二极管,以及 20 世纪 90 年代出现的硅光电倍增管(Silicon Photomultiplier,简称 SiPM)等半导体光 敏探测器件的陆续出现,使得弱光探测领域掀起了一股半导体光电探测器件的发展 高潮,其中 SiPM 被认为是最有潜力的一个。基于半导体标准 CMOS 工艺的新型光 电倍增器,SiPM 以盖革模式的浅结偏压二极管为基础,具有与 PMT 相同量级的倍 增增益,并且具有工作电压低、光子探测效率高、对磁场不敏感,与高密度阵列技 术兼容等优点,近几年逐渐开始在许多领域得到应用,并逐步呈现取代 PMT 的趋势。 本文设计并改进 SiPM 的器件结构,实现一种将来可运用在正电子发射断层成像 设备(Positron Emission Tomograph,简称 PET)中的高倍增增益、高光子探测效率 的光电倍增器件。在 SiPM 的器件结构设计上,采用浅结反偏压雪崩二极管串联淬灭 电阻的阵列结构,实现对微弱光信号的探测、转换与电信号的放大输出;在 SiPM 的 器件结构优化上,采用高阻值多晶单元与深沟道隔离结构,实现 SiPM 对光信号的快 速淬灭恢复以及降低内部自生光子的产生与传播,解决传统半导体光电倍增器件不 能自主实现淬灭恢复的问题,同时极大减小了串扰噪声,增大了光子有效探测效率。
关键词:光电探测器,硅光电倍增管,CMOS 工艺,增益,探测效率
II
II
Abstract
With continuous development of weak light detection technology in recent years, research and application of new type of photodetectors have entered a new stage. Photo- detector is the core component of weak light detection system, and is widely used in the field of measurement and protection of Nuclear Power Plant, Medical instruments, Oil well logging and Geological prospecting. Since the 1950s, the most widely used photodetectors of weak light detection are Photomultiplier tubes based on vacuum tube. This kind of detector has the advantages of large detection area and high gain whic
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