数字集成电路计西安邮电大学第三章.pptVIP

EE141 EE141 第三章 器件 张丽果 2012.3.20 主要内容 定性了解MOS器件 介绍器件的基本公式 介绍用于手工分析的简单模型 介绍用于SPICE模拟的器件模型 工艺偏差的影响 二极管 耗尽区 正向偏置 反向偏置 二极管电流 手工分析模型 结电容 二级效应 二极管模型(SPICE) MOS晶体管 MOS晶体管 MOS 晶体管-类型及符号 阈值电压 阈值电压 体效应 MOS晶体管电流电压关系 线性（电阻）区的MOS晶体管 NMOS沟道电势示意图(0VDS VGS-VT ) I/V特性 饱和区MOS晶体管 饱和区的MOSFET（VDS ≥ VGS－VT） 手工分析模型 深亚微米器件电流电压关系 速度饱和 ID vs VGS ID vs VDS 手工分析模型 简单模型 vs SPICE模型 PMOS晶体管 作为开关的晶体管模型 作为开关的晶体管模型 MOS 电容动态特性 MOS晶体管动态特性 栅极电容 栅极电容 栅极电容测量 结电容 结电容 -2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 0 -1 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0 x 10 -4 V DS (V) I D (A) Assume all variables negative! VGS = -1.0V VGS = -1.5V VGS = -2.0V VGS = -2.5V Cut-off