场效应晶体管放大电路的设计原理过程解析单管放大电路主要参数设定.docVIP

场效应晶体管放大电路的设计原理过程解析单管放大电路主要参数设定 　　摘 要：现在的IC技术是日新月异的技术，无论是模拟电路还是数字电路都能进行IC化或LSI化，观察一些设备内部的电子电路，除电源电路以外，几乎所有电路都被IC化或LSI 化，找到单个晶体管和FET等单个放大器是很困难的，但是，为了能探索IC电路的内部结构，深刻理解电路的工作原理，研究分析晶体管最基本的放大器件仍具有十分重要的意义。 　　关键词：场效应晶体管；增益；低频跨导 　　随着电子技术的发展，电子电路的集成化程度越来越高，常用电子设备除电源电路以外，找到单个晶体管和FET等单个放大器已经很困难了，但对于电子初学者和大中专学生来说，学习和设计电路仍然要从简单电路开始。通过查找资料发现，由双极型三极管组成的放大电路的设计原理的内容比较多，而由场效应晶体管组成的放大电路的设计原理的内容却很难找到，以下内容作者凭学习心得主要就单个场效应晶体管组成的简单放大电路的设计原理过程作简要阐述，希望给电子初学者在理解场效应晶体管工作原理方面有所帮助。 　　场效应晶体管简称场效应管，是利用改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件，它是在六十年代平面工艺逐渐成熟后发展起来的。这种器件不仅兼有一般半导体三极管体积小，重量轻，耗电省，寿命长等特点，而且还有输入阻抗高，噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强和制造工艺简单等优点，因而大大地扩展了它的应用范围。 　　由于场效应管的种类繁多，不同场合下场效应管的用法也不同。本文主要讨论的是以N沟道增强型场效应管为例，由工作状态入手，分析共源极小信号放大电路的设计原理和过程。 　　1 场效应管的工作状态分类 　　根据N沟道增强型场效应管的工作原理可知，场效应管在不同的电压偏置下所呈现的工作状态是不同的，简述如下： 　　（1）当 0VGSVT： （VGS为栅极与源极之间的电压，VT为场效应管开启电压） 　　漏源间不存在载流子的通道，场效应管不导通，管子处于截止状态，即管子工作在截止区。 　　（2）当VGSVT时：1）0VGS-VT，场效应管沟道出现夹断，由于预夹断区呈现高阻，而未夹断沟道部分为低阻，因此，VDS增加的部分基本上降落在该夹断区内，而沟道中的电场力基本不变，漂移电流基本不变，所以，从漏端沟道出现预夹断点开始，ID基本不随VDS增加而变化，场效应管在这一工作区称为工作在饱和区或放大区；3）VDS继续增大，当VDS达到一定值，场效应管将出现击穿现象。输出特性曲线和转移特性曲线如图1图2所示。 　　图1是N沟道增强型场效应管的输出特性曲线，它是场效应管输出端电流与输出电压关系的一族曲线，整个工作区分成了可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分。转移特性曲线如图2所示，它是输出电流与输入电压的关系曲线，图中，由于当场效应管作放大器使用时，场效应管工作在饱和区（恒流区），此时ID几乎不随VDS而变化，即不同的VDS所对应的转移特性曲线几乎是重合的，所以可用VDS大于某一数值（VDSVGS-VT）后的一条转移特性曲线代替饱和区的所有转移特性曲线。 　　实验表明，当VGSVT，VDSVGS-VT时，即在饱和区（放大区）内，ID随VGS的增加近似按平方律上升，工程上常用近似方程逼近，因而有： 　　ID=ID0*， ID0为VGS=2VT时ID的值 　　大家知道，要设计一个由场效应管为核心器件的小信号放大电路，就必须先保证场效应管工作在放大区，然后在静态工作点的基础上叠加交流小信号，把小信号进行放大。图3 给出了一个由N沟道增强型场效应管构成的最简单电压偏置电路，其中栅源两极加上直流电压VGS，电源通过漏极电阻RD给场效应管提供能量，输出电压为V0，也即VDS。现在假定输入端电压满足条件VGSVT，那么不难得到输出电压V0=VDD-ID*RD。（图3图4） 　　2 场效应管主要参数设定过程 　　场效应管主要参数设定并不是一件容易的事，原因是电路参数的设定应该满足许多要求，常见的设计要求包括：（1）放大电路的增益要求；（2）放大电路放大的小信号是否满足失真要求；（3）放大电路信号的输入输出范围是否满足要求等等。 　　根据场效应管的输出特性曲线和转移特性曲线我们还可以得到如图4所示的输入输出电压关系曲线，其中曲线ab段满足条件VGSVT，VDSVGS-VT，曲线向下弯折，电路输出端根据KVL定理，输出电压VDS满足方程VDS=VDD-ID*RD的关系，VDS随着VGS的增大迅速变小，场效应管逐步进入饱和区也即放大区；曲线cd段满足条件VGSVT，0VGS-VT的条件，c点是曲线方程VDS=VDD-ID*RD与直线方程VDS=VGS-VT的交点，可见，c点对应的横坐标VM就是设置静态工作点时输入端偏置直流电压VGS的上限，这样