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　　　因此，为了有效地利用太阳热能，就必须考虑采用具有波长选择特性的吸收面。这种吸收面对太阳能吸收较多，同时由热辐射所引起的能量损耗又比较小，即在太阳辐射光谱的波段(可见波段)中吸收率大，在热辐射光谱波段(红外波段)中辐射率小。采用在红外波中反射率高达1，辐射率非常小的金属，可以在可见光波段中降低其反射率，增大其吸收。 　　　利用半导体层中的带间跃迁吸收的方法，在金属表面沉积一层半导体薄膜，其吸收端波长在1～3μm之间(Eg＝1～0.4ev)。当波长比吸收端波长长时，半导体层是透明的，可以得到由衬底金属所导致的高反射率。另一方面，当波长比吸收端波长短时，由于薄膜的吸收系数很大，可以吸收太阳光。 　　　用于这一目的的半导体有Si(Eg ＝1．1ev)，Ge(Eg＝0.7ev)，PbS(Eg=0.4ev)。它们在可见光波段的折射率较大，反射损耗较大。降低半导体反射的措施有：(1)适当地选取半导体层的膜厚，通过干涉效应来降低反射率；(2)在半导体层上再沉积一层防反射膜；(3)使半导体表面形成多孔结构，利用多重反射的方法，使反射率降低。 　　　利用薄膜的干涉来达到防反射的目的，要采取的措施有： (1)由单层透明金屈膜来防止反射： (2)由具有吸收的薄膜来防止反射; (3）沉积干涉滤色器型的多层金属防反射膜。 3、薄膜光波导 光波导就是一种将光波封闭在有限截面的透明媒质内，并利用其横向界面上的全反射现象，使波沿波导轴向传播的光学结构。 薄膜光波导的基本结构大致可分为两种， 一种是由所沉积的低折射率和高折射率的薄膜形成的二维波导； 另一种是将薄膜加工成条带状图形所形成的三维波导。 　　 薄膜光波导的衬底用折射率比波导核心层的折射率低的透明材料，但是也有采用非透明材料(硅等半导体衬底)的情况，这时的结构是由低折射率的透明缓冲层和高折射率的核心层叠加所构成的。 　　　单晶衬底被广泛采用的有LiNb03，A1203，SiO2等氧化物介电体单晶以及GaAs,InP,Si等半导体晶体。一般在单晶衬底上比较容易得到比多晶波导层纯度高、损耗低的单晶波导层，还会出现电光效应、非线性光学效应等，适合作功能元件。 　　　制备单晶薄膜是采用各种外延方法(气相、液相、分子束外延、有机金属化学气相法等)，在异质外延过程中制备的薄膜物质与衬底不同，这时由于晶体常数不同会产生残余应变和晶格缺陷。 5i单晶上的低折射率缓冲层，常常采用由热氧化所得到的SiO2膜。多晶以及非晶态物质的薄膜的制备，通常是采用真空蒸镀、溅射等方法。 四、磁性薄膜 　　目前，磁性薄膜是一个十分活跃的研究领域，因为用它能够制造计算机快速存储元件。1955年发现在磁场中沉积的磁性薄膜沿该磁场方向呈矩形成滞回线，这表明磁性薄膜可以作成双稳态元件；同时也发现元件从一个稳态转换到另一个稳态所需的时间极短(约10-9秒)，利用薄膜代替铁氧体磁芯的研究取得了成功。 1、磁性膜的基本性质 　　饱和磁化强度MS是膜厚L和温度T的函数，在三维情况下， MS(T)服从T3/2的关系，而当L＝30nm以下时，随L的减少，由T3/2关系变为T的关系。由此可推断．随着膜厚L的减少，居里温度Tc也会降低。 铁磁性薄膜具有单轴磁各向异性，并由此产生矩形磁化曲线和磁滞回线。由于薄膜中所特有的内应力分布，认为磁滞伸缩是诱发产生垂直磁各向异性的原因。 铁磁体中加有磁场时，电阻率正比于磁场强度的平方，称为正常磁阻效应； 另外电阻率会随磁化强度的不同而变化，这种现象为异常磁阻效应。 磁性薄膜的各向异性磁阻效应可用于磁头、磁泡检测、磁场检测用磁传感器等。 2、单晶态磁性薄膜 　 　　 磁性单晶膜可利用外延法来制备。在离子型晶体或金属单晶体的结晶而上可通过真空蒸镀法进行外延．要求基体的温度必须在外延温度以上。 在NaCl单品解理面(100)上制取Ni单晶膜，其各向异性常数K1的值具有各向异性。在MgO(100)解理面上，Ni的K1值随基体温度增加而增加。K1越大表明完全单晶化程度越高。 γ-Fe膜是特殊单晶膜，通常的Fe是体心立方晶体结构，面心立方的γ-Fe仅存在于块体状的合金。但是如果在Cu单晶体上，使外延单晶Fe膜尽可能薄，也可获得γ-Fe膜，当膜厚为2nm以下时，是γ－Fe(100)／Cu(100)，利用磁矩仪测出的K1值，表明膜层为铁磁性的。实验表明，在不同衬底面上，所得磁性薄膜性能不同。在Cu(100)面上生成反铁磁性膜，在Cu(110)与(111)面上，室温时为铁磁性的。 3、非晶态磁性薄膜 　　 非晶态软磁膜具有不存在晶体学磁各向异性，以及不存在由晶粒边界引起的磁畴壁钉扎等优点，而且与熔融金属急冷非晶薄带比