【精编】托卡马克等离子体约束.pptVIP

杂质控制可改善能量约束 杂质按电荷数的大小可分为重杂质和轻杂质。重杂质主要来源于真空室壁、孔栏或偏滤器靶板材料中的重金属，重杂质进入约束区后会造成非常大的辐射损失，只要有万分之几的含量就可以使氘氚点火停止，因此是必须严格防止。 轻杂质主要是氧、碳、锂、硼等，分别来源于真空室壁的吸附、孔栏材料或壁表面覆盖材料。轻杂质辐射虽比重杂质小，但因其对燃料离子的稀释作用，对等离子体总体品质影响也很大，也要尽力避免。 对杂质的控制，首先是选择适当的器壁、偏滤器靶板和孔栏等材料。早期的实验中第一壁多采用高Z（钼、钨）材料，主要是因为这些材料有较高的熔点，且物理溅射的阈值高，实验发现它们的等离子体品质很差。后来改用低Z杂质，如石墨、硼或铍等作第一壁材料。 采用硼化、硅化等器壁处理技术，有效降低了第一壁的再循环，减少了杂质及辐射功率，改善了等离子体约束，取得了很好的实际效果。 轻杂质的侵蚀率很大，反应堆中太高的含量会降低燃料离子的浓度。 偏滤器位形能减少等离子体与器壁的相互作用，它将大多数粒子和热量引入专门的偏滤器区域，让热量沉积在特设的靶板上，并用特殊的磁场结构阻挡靶板上溅射的杂质回流至主等离子体区，显著减少杂质的来源。现代偏滤器已经成为托卡马克磁场位形中的一个重要组成部分，偏滤器物理也是磁约束研究的重要部分。 人类生活对能源的需求 核聚变及受控核聚变原理 等离子体约束的基本问题 等离子体约束的各种模式 等离子体输运与能量约束定标 约束改善与边缘局域模控制 总结和讨论 内容摘要 等离子体约束的几种类型 等离子体约束行为可分为三大类 第一类是欧姆加热条件下的等离子体行为 第二类是由辅助加热引起的较欧姆加热条件下的能量约束变坏的所谓低约束状态（L-模） 第三类是较L-模状态的能量约束有所改善的放电模式，即高约束模式（H-模） 欧姆加热的能量约束特性 在欧姆加热放电条件下，等离子体的能量约束时间与等离子体密度ne，大小半径R、a ，安全因子q有关，通常满足Neo-Alcator定标关系 在密度较低时，此定标给出能量约束时间随等离子体密度线性增加，即所谓的LOC约束特性。 当密度增加到一定值后，τE随ne增加的趋势将减弱，最后出现饱和或回落的现象，此种约束状态被称为SOC约束状态。 出现饱和约束时间的临界密度值具有定标: nsat=0.7Bt(T)Ai0.5/ qa R(m) 饱和能量约束时间的定标率 ITER数据分析组专门对圆截面等离子体在SOC方式下的数据进行了回归分析，得到了下面的饱和能量约束时间定标律[NF37, 1303]： 通过控制密度的分布，如利用弹丸或分子束注入加料，使密度分布变陡；或对器壁进行预处理，降低边缘再循环，来增加密度的峰化因子，可增加饱和密度值。 当等离子体密度已达到LOC区的临界饱和密度，τE仍随ne增加而线性增加；只有ne达到一新的临界值后，τE才出现饱和，此时的能量约束时间已大幅度提高，这种约束得到较大提高的欧姆放电叫IOC放电。 在ASDEX上，首先对IOC放电进行了深入研究。 辅助加热下的低约束模特性 早期人们采用高能中性粒子或射频波注入来提高等离子体温度，发现能量约束时间随加热功率增加而明显下降，即所谓的低约束模放电。这意味着等离子体的反常输运随温度增加而增加，并大致满足功率定标关系τE ? Ptot-0.5。 最先由Kaye和Goldston给出了低约束模的能量约束定标律，通常叫做 Kaye-Goldston定标律，后来在综合了很多聚变装置如ASDEX，PLT，TFR，JET，TFTR，JT-60U，DIII-D 的实验数据后发展起来了ITER89-P定标律。 约束变坏可能是温度超过了某种临界梯度，突然激发某些微观不稳定性，例如ITG，导致了反常热导率突然加大。 不同的加热功率沉积剖面也会影响捕获粒子特性，从而激发某种反常输运模式而导致约束变坏。 当人们对低约束模感到失望时，在ASDEX上获得了比低约束模式好近一倍的稳定约束，并把它叫做高约束模式。 目前人们正在对不同的放电条件下的等离子体约束行为进行深入研究，探索改善约束的各种有效途径。 多种等离子体约束改善模式 在ASDEX上，首先观察到当辅助加热功率达到或超过一定阈值时，等离子体约束性能突然增加，其能量约束时间与L－模约束定标相比可增加约1倍，等离子体约束具有很多新的特点，这就是所谓的H－模放电 [Wagner 84, Phys. Rev. Lett. 53, 1453]。 H－模的发现对当时的聚变界是一个巨大的鼓舞，接着人们几乎在所有的具有较大非欧姆加热的装置上都观察到类似的H－模约束状态，而且无论是偏滤器位形或孔栏位形，中性束加热或射频波加热，甚至在非感应电流驱动条件下，都可实现此种H－模放电。 后来又发现了与ASDEX的H－模