微电子技术应用基础 第三章 半导体器件物理基础.ppt

返回 (a) N沟耗尽型；(b) N沟增强型 返回 返回 返回 返回 (a) 金属；(b) 绝缘体层；(c) 半导体（N型） 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 (a)反型层已形成(b)漏端沟道变窄(c)漏端沟道夹断(d) 漏端沟道夹断点向源端移动，ΔL出现 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 (a) 共基极；(b) 共发射极；(c) 共集电极 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 (a) 输入特性；(b) 输出特性 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 (a)t=0，输入电压由正突变为负；(b) 突变后，结电流随时间的变化； (c)突变后结电压随时间的变化 返回 (a)正向时，N型区少子空穴的分布(b)反向时，N型区少子空穴的分布 返回 返回 (a) 电路图；(b) 输出特性及负载线 返回 返回 (a)基极输入脉冲电压波形；(b)基极电流变化波形；(c)集电极电流随时间的变化 返回 返回 返回 返回 (a)无外加电压的情形(b)Uds0，电流从D到S，IU关系是线性的(c)Uds增加，D端沟道变窄电阻加大，IU关系曲线斜率减小；(d)沟道“截断”，沟道电流饱和IU特性曲线变平；(e) Uds继续增加，沟道夹断区扩大，但电流仍维持不变 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 PN结的空间电荷区中的电场 返回 PN结的空间电荷区中的电势及载流子势能随位置的变化 返回 返回 返回 返回 非平衡少子的扩散长度反映少子在中性区中深入的程度 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 (a) 零偏压；(b) 反向偏置；(c) 正向偏置 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 (a)平衡状态；(b)加正向电压；(c)加反向电压 返回 返回 (a)接触前；(b)紧密接触后 返回 返回 返回 4 MESFET的特性 MESFET的结构示意图 图 两种MESFET的特性比较 图 JFET和MESFET与双极型晶体管相比，它主要具有 的特点 MIS结构的电场效应 MIS结构示意图 图 MIS结构中空间电荷区产生的说明 图 结构的空间电荷区中电场强度及电位的分布 图 金属、绝缘体层和半导体(N型)的能带图 图 MOS结构，UGS=0的情形 　　　图 UGS=0，MOS系统各部分的费米能级在同一水平上 (2) MOS结构，UGS＞0的情形 　　　图 MOS系统在UGS0的情况下的能带图及电荷分布图 (3)MOS结构，UGS＜0的情形 　　图 MOS系统在UGS0的情况下的能带图及电荷分布图 (4)MOS结构，UGS0的情形 　　　图 MOS系统中半导体的反型层的形成 6MOSFET的工作原理 MOS场效应晶体管结构示意图 图 MOS场效应晶体管中P型半导体强反型的能带与电荷分布图 图 MOS场效应晶体管工作原理的说明 图 MOS场效应晶体管的电流电压特性曲线 图 MOS场效应晶体管的曲线族 图 7 MOSFET的特性及参数 (1) MOSFET的种类 四种MOSFET的特性综述 图 (2) 简单的电流电压方程 (3) MOSFET的转移特性 增强型N沟MOS场效应晶体管的特性曲线族及转移特性图 8 MOSFET的电容 MOS场效应晶体管的电容效应 图 金刚石结构 四面体 共价键 返回 返回 返回 返回 (a) 键上电子一旦自由，一定留下空位；(b) 键上空位的转移 返回 杂质磷原子的未成键电子的自由化 杂质硼原子的键上空位——空穴 返回 硅原子的能级示意图 返回 返回 返回 (a) 导带中电子导电示意图；(b) 满带中电子无导电能力 返回 返回 返回 (a)施主能级在禁带中的位置(b)受主能级在禁带中的位置 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 (a) 电子与电离施主散射；(b) 空穴与电离施主散射 返回 载流子热运动的速度影响，电离杂质散射造成的运动轨迹偏转 返回 硅中电子迁移率随温度的变化 返回 返回 返回 第三章 半导体器件物理基础 第一节 半导体的模型 第二节 半导体中载流子的浓度与运动 第三节 PN结  第四节 结型晶体管  第五节　场效应晶体管 第一节 半导体的模型 1 半导体的共价键结合图1 硅晶体中Si离子的示意图 GaAs结构示意图 2 电子与空穴、本征激发 电子空穴 3 杂质的作用 图 掺有V族元素的硅、锗等半导体中的载流子即以电子为主，电子称为多数载流子，简称多子；空穴称为少数载流