改良西门子法多晶硅生产工艺探讨演示文稿.ppt

改良西门子法多晶硅生产工艺探讨 多晶硅工艺流程简图 SiHCl3合成工艺 加压合成 湿H2除杂质 无筛板SiHCl3沸腾炉 SiHCl3合成反应式 H2 ＋ Cl2 ―→ 2HCl Si + HCl ―→ SiHCl3 + SiCl4 + H2 SiHCl3氢还原工艺 加压还原 还原炉结构 还原炉反应机理推讨 还原炉尾气回收系统连接 加压还原 动力学研究表明： Vp = K · P · η Vp ——硅的沉积速度（ g / h·cm2 ）； K ——常数； η ——SiHCl3的一次转化率。 沉积速度/ SiHCl3分压曲线 沉积速度 （g/h·cm2） B C A P SiHCl3 还原反应机理 Ⅰ. SiHCl3 ―→ SiCl2 + HCl 2SiCl2 ―→ Si +SiCl4 ............................... ① v1 Ⅱ. SiCl2 + H2 ―→ SiH2Cl2 ―→ Si + HCl.....② v2 4SiCl2 + 4HCl ―→ Si + 3SiCl4 + 2H2........③ v3 还原炉尾气回收系统连接图 氢化工艺 概述 原理 装置 转化率 概述 在多晶硅生产过程中将会生成大量的副产物四氯化硅,我们研究发现，目前国际上普通使用的改良西门子法生产1kg多晶硅，会产生15kg的四氯化硅。 多晶硅生产的副产物四氯化硅的安全和环保问题日益突出，如何安全处理和综合利用四氯化硅已成为关系到多晶硅产业能否又好又快发展的关键问题。 目前，氢化是四氯化硅综合利用的最好方法。 四氯化硅利用的途径 四氯化硅氢化生产三氯氢硅 生产气相白炭黑 生产其他化学产品 SiCl4氢化的两种工艺方法 热氢化 SiCl4 + H2 —→ SiHCl3 + HCl 氯氢化 SiCl4 + H2＋Si + HCl —→ SiHCl3 + SiH2Cl2 氢化炉示意图 尾气回收工艺 概述 工艺原理 回收率 如何降低HCl中H2含量 概述 在多晶硅还原生产过程中，还原炉内的SiHCl3一次转化率只有10％，大量的SiHCl3并没有反应随尾气排出。 多晶硅生产过程中产生尾气中的各组分都是化学有害物质，不加处理直接排放到环境中对人的健康和生态环境都会产生很大的危害。 因此，如何把这部分尾气回收是多晶硅生产的重要环节，不仅可以减少污染环境，还可以降低生产成本。 还原尾气回收工艺 尾气回收率 组分 回收率 氯硅烷 98％ HCl 97％ H2 98％ H2在SiHCl3中的溶解度 HCl在SiHCl3中的溶解度 谢谢大家！Thanks!