VLSI设计基础2器件与工艺上教学课件.ppt

* 东南大学-国家ASIC中心 PMOS晶体管 作业2：分析PMOS的三个状态的工作条件， 写出其I-V表达式 耗尽型NMOS 增强型NMOS 怎样实现耗尽呢：在衬底表面离子注入与衬底掺杂类型相反的杂质，这里是注入N型杂质 耗尽型器件：0栅源电压下就存在导电沟道 * 东南大学-国家ASIC中心 两类MOS晶体管-耗尽型和增强型 耗尽型NMOS 增强型NMOS * 东南大学-国家ASIC中心 2.1.4 MOS器件的频率特性 定义：源漏交流接地，器件的小信号增益下降为1的时候。 当对栅极输入电容CGC的充放电电流和漏源交流电流的数值相等时，所对应的工作频率为MOS器件的最高工作频率。 所以 所以 最高工作频率与MOS器件的沟道长度的平方成反比，减小沟道长度L可有效地提高工作频率。 反映载流子运动速度 反映载流子数量（电流） 反映载流子运动路程 东南大学-国家ASIC中心 * MOS管符号 本书所用符号 其他常用符号 VDD * 东南大学-国家ASIC中心 * * 截至-开启 * 开启-夹断 * 饱和区工作！所以是平方率转移特性 * VLSI设计基础 东南大学-国家ASIC中心 VLSI设计基础 VLSI设计基础 东南大学-国家ASIC中心 VLSI设计基础 东南大学-国家ASIC中心 VLSI设计基础 东南大学-国家ASIC中心 VLSI设计基础 东南大学-国家ASIC中心 VLSI设计基础 东南大学-国家ASIC中心 VLSI设计基础 东南大学-国家ASIC中心 VLSI设计基础 东南大学-国家ASIC中心 VLSI设计基础 东南大学-国家ASIC中心 VLSI设计基础 东南大学-国家ASIC中心 VLSI设计基础 东南大学-国家ASIC中心 VLSI设计基础 东南大学-国家ASIC中心 VLSI设计基础 东南大学-国家ASIC中心 VLSI设计基础 第2章 MOS器件与工艺基础 * 东南大学-国家ASIC中心 （*） 上周课内容回顾： 集成电路发展史 摩尔定律 电子信息系统构成 VLSI设计流程 本章概要： MOS晶体管基础 CMOS逻辑部件 MOS集成电路工艺基础 版图设计 * 东南大学-国家ASIC中心 2.1 MOS晶体管基础 MOS晶体管结构及基本工作原理 MOS晶体管的电流-电压特性 MOS晶体管的阈值电压VT 调到第8章介绍 MOS晶体管主要电参量 CMOS结构 * 东南大学-国家ASIC中心 本节课内容 MOS晶体管结构 MOS晶体管基本工作原理 MOS晶体管的电流-电压特性 CMOS结构 * 先回顾几个概念 导体、半导体 载流子、多子、少子 掺杂、N型半导体、P型半导体 PN结 MOSFET：Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor * 东南大学-国家ASIC中心 * 2.1.1 MOS晶体管结构 2.1.1 MOS晶体管结构及基本工作原理 NMOS PMOS * 东南大学-国家ASIC中心 2.1.1 MOS晶体管结构 * 东南大学-国家ASIC中心 思考题：怎么样才能让MOS管工作？ 两个N+区哪个是源端，哪个是漏端？ 2.1.1 MOS晶体管的基本工作原理 D S V + - 工作条件：VDS很小时 如果不是很小怎么样？ VTN:阈值电压 * 东南大学-国家ASIC中心 D S V + - D S V + - D S V + - VDS增大 沟道夹断（临界饱和） VDS=VGS-VTN VGD=VTN · · · · * 东南大学-国家ASIC中心 V D S + - VGS-VTN VDS-VGS-VTN D’ =VD’S VGD’=VTN VDS中大于临界饱和电压值的部分 临界饱和 为什么保持临界饱和时的值? * 东南大学-国家ASIC中心 思考：沟道夹断后电流变成什么样？ 东南大学-国家ASIC中心 * 二级效应修正： 沟道长度调制效应 2.1.3 MOS晶体管的电流-电压特性 非饱和区 饱和区 截止区 * 东南大学-国家ASIC中心 思考题：写出NMOS管的I-V表达式 2.1.3 MOS晶体管的电流-电压特性 非饱和区 饱和区 截止区 * 东南大学-国家ASIC中心 MOS管的转移特性 （IDS~VGS 栅漏连接） 非饱和区 饱和区 截止区 导通后，饱和区or线性区工作？ * 东南大学-国家ASIC中心 MOS晶体管的电学本质： 电压控制电流源 * 东南大学-国家ASIC中心 L W 反映材料特性和几何形状决定的电阻 反映由工作点决定的电阻 反映栅电压对电阻的控制能力 PMOS * 东南大学-国家ASIC中心 PMOS