送审稿编制说明-中国有色金属标准质量信息网.DOC

PAGE PAGE 1 中华人民共和国国家标准《半导体抛光晶片亚表面损伤的 反射差分谱测试方法》（送审稿）编制说明 一、任务来源及计划要求 本标准是全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会于2008年度下达的国家标准制定任务（计划编号T-469），计划要求制定半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法标准，由中国科学院半导体研究所负责起草，要求在2008年～2010年完成。 二、编制过程（包括编制原则、工作分工、征求意见单位、各阶段工作过程等） 本标准是基于半导体所关于偏振反射差分谱（RDS）的技术发明专利，进行大量的实验研究后确定了亚表面损伤层的厚度、量和谱线强度的定量关系，并确定了测试的条件要求和设备系统的技术要求而制定。 本标准制定工作由中国科学院半导体研究所承担。 2008年4月成立了该标准制定工作组。工作步骤是：1、在国外购买亚表面损伤极小的GaAs、InP衬底材料和加工制备不同亚表面损伤层的衬底。2、反复测量比对，进行（RDS）测试数据与标样定量关系的测试及测试系统条件的确立。3、测试结果分析与讨论，确定测量误差范围。4、标准的编写。5、标准的意见征询与上报公示等。 于2009年4月完成了标准征求意见稿，并对中电46所、北京通美晶体技术有限公司、有研半导体材料股份有限公司等单位征求意见。2009年9月完成国标