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3.1.1放大器中的负反馈 3.2.4 集成功率放大器 二、LM386的主要性能 LM386额定电源电压范围为 ，无作动时仅消耗4mA电流，极适合电池供电，且失真低。LM386内建增益为26dB，在第1引脚和第8引脚之间电容的作用下，增益最高可达46dB。其外形如图所示。 了解场效晶体管的结构、符号、电压放大作用和主要参数； 了解场效晶体管放大器的特点及应用。 图所示是另一种能够进行电信号放大的半导体器件——场效晶体管。场效晶体管仅依靠半导体中的多子实现导电，故又称为单极型晶体管。图中的场效晶体管从外形上来看与三极管非常相似，也有三个引脚：漏极（D）、源极（S）、栅极（G）,分别对应于三极管的集电极（c）、发射极（e）和基极（b）。 与三极管不同是，场效晶体管是利用 电压控制电流大小的放大器件，称为电 压控制器件。 根据结构和工作原理的不同，场效 应管分为结型和绝缘栅型两大类。 3.3.1 绝缘栅型场效晶体管 一、结构与符号 3.3.1 绝缘栅型场效晶体管 二、N沟道增强型场效晶体管特性曲线 场效晶体管的特性同样可以通过转移特性曲线和输出特性曲线来描述，如图所示。 3.3.1 绝缘栅型场效晶体管 三、N沟道耗尽型场效晶体管特性曲线 N沟道耗尽型场效晶体管输出特性曲线也可分为变阻区、恒流区和击穿区。其转移特性曲线和输出特性