集成电路工艺设计原理试题（卷）总体答案解析.doc

专业技术资料分享 WORD资料 下载可编辑 目录 TOC \o 1-3 \h \z \u HYPERLINK \l _Toc451113931 一、填空题（每空1分，共24分） PAGEREF _Toc451113931 \h 1 HYPERLINK \l _Toc451113932 二、判断题（每小题1.5分，共9分） PAGEREF _Toc451113932 \h 2 HYPERLINK \l _Toc451113933 三、简答题（每小题4分，共28分） PAGEREF _Toc451113933 \h 3 HYPERLINK \l _Toc451113934 四、计算题（每小题5分，共10分） PAGEREF _Toc451113934 \h 10 HYPERLINK \l _Toc451113935 五、综合题（共9分） PAGEREF _Toc451113935 \h 11 填空题（每空1分，共24分） 制作电阻分压器共需要三次光刻，分别是 电阻薄膜层光刻、 高层绝缘层光刻 和 互连金属层光刻。 集成电路制作工艺大体上可以分成三类，包括图形转化技术、薄膜制备技术、掺杂技术。 晶体中的缺陷包括 点缺陷 、 线缺陷 、 面缺陷 、 体缺陷 等四种。 高纯硅制备过程为 氧化硅 → 粗硅 → 低纯四氯化硅 → 高纯四氯化硅 → 高纯硅。 直拉法单晶生长过程包括 下种 、 收颈 、 放肩 、 等径生长 、 收尾 等步骤。 提拉出合格的单晶硅棒后，还要经过 切片 、 研磨 、 抛光 等工序过程方可制备出符合集成电路制造要求的硅衬底片。 常规的硅材料抛光方式有： 机械 抛光， 化学 抛光， 机械化学 抛光等。 热氧化制备SiO2的方法可分为四种，包括 干氧氧化 、 水蒸汽氧化 、 湿氧氧化 、 氢氧合成氧化 。 硅平面工艺中高温氧化生成的非本征无定性二氧化硅对 硼 、 磷 、砷（As）、锑（Sb）等元素具有 掩蔽 作用。 在SiO2内和Si- SiO2界面存在有 可动离子电荷、 氧化层固定电荷 、 界面陷阱电荷 、氧化层陷阱 等电荷。 制备SiO2的方法有 溅射法 、 真空蒸发法 、 阳极氧化法 、 热氧化法 、 热分解淀积法 等。 常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中，杂质在体内满足 余误差 函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中，杂质在体内满足 高斯分布 函数分布。 离子注入在衬底中产生的损伤主要有 点缺陷、非晶区、非晶层 等三种。 离子注入系统结构一般包括离子源、磁分析器、加速管、聚焦和扫描系统、靶室等部分。 真空蒸发的蒸发源有 电阻加热源 、 电子束加热源 、 激光加热源 、 高频感应加热蒸发源 等。 真空蒸发设备由三大部分组成，分别是真空系统、蒸发系统、基板及加热系统。 自持放电的形式有辉光放电、弧光放电、电晕放电、火花放电。 离子对物体表面轰击时可能发生的物理过程有 反射、产生二次电子、溅射、注入。 溅射镀膜方法有 直流溅射 、 射频溅射 、 偏压溅射 、 磁控溅射（反应溅射、离子束溅射） 等。 常用的溅射镀膜气体是氩气（Ar）,射频溅射镀膜的射频频率是13.56MHz。 CVD过程中化学反应所需的激活能来源有？ 热能 、 等离子体 、 光能 等。 根据向衬底输送原子的方式可以把外延分为： 气相外延 、液相外延 、固相外延 。 硅气相外延的硅源有 四氯化硅（SiCl4）、三氯硅烷（SiHCl3）、二氯硅烷（SiH2Cl2）、硅烷（SiH4）等。 特大规模集成电路（ULIC）对光刻的基本要求包括 高分辨率、高灵敏度的光刻胶、低缺陷、精密的套刻对准、对大尺寸硅片的加工 等五个方面。 常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有 涂胶 、 前烘 、 曝光 、 显影 、 坚膜 、 腐蚀 、去胶等。 光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有 溶解度 、 温度 、 甩胶时间 、 转速 。 控制湿法腐蚀的主要参数有 腐蚀液浓度 、 腐蚀时间 、 腐蚀液温度 、 溶液的搅拌方式 等。 湿法腐蚀Si所用溶液有 硝酸-氢氟酸-醋酸（或水）混合液 、KOH溶液 等，腐蚀SiO2常用的腐蚀剂是