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2018-10-20 发布于湖北
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igbt的过流保护策略

第22 卷　第1 期　　电子器件 V l. 22, N . 1 　1999 年 3 月　　　　　　　　　　J urnal f Elect r n Devices　　　　　　　　　 March. 1999 : 1005- 9490( 1999) 01- 0031- 39 IGBT 刘云峰　陈国平 ( , 2 10096) IGBT , : IGBT : T N386. 2: A 1 ( IGBT - Insulated Gate Bip lar T ransist r) IGBT MOSFET ( GT R) , , 600 A- 1 200 V IGBT [ 1, 2] ; 1 700 V IGBT , IGBT UPSIGBT , , IGBT , IGBT , IGBT , 2IGBT 2. 1IGBT IGBT , , : [ 3, 4] ( 1) 250 , IGBT ( 2) IGBT , IGBT ( 3) IGBT dI/ dt IGBT 2. 2IGBT , VGEIGBT , IGBT : 1998 9 30 　32　　　　　　　　　　　　　　　　　　电子器件　　　　　　　　　　　　　　　　第 22 卷图1　IGBT 的短路耐量 1 IGBT ( 2M BI150-120, 1200V-50A ) VGE, : ( 1) , tCS 1 200 V 2M BI50- 120, 125 , 800 V 400 V ( 2) GE 15 10 , V V V 2. 3IGBT ( SCSOA ) ( ) 2( ) ( ) IGBT SCSOA a b IGBT , IGBT , , ( RBSOA) IGBT IGBT IGBT ( H ) : 10 s , ; , H IGBT 100 : 10 s , ; IGBT 1 000 , 1 s 第1 期　　　　　　　　　　刘云峰陈、国平: IGBT 的流保护策略　　　　　　　　　　　　　3　3　　图2　西门康IGBT 的短路安全工作区 2. 4IGBT , IGBT 　34　　　　　　　　　　　　　　　　　　电子器件　　　　　　　　　　　　　　　　第 22 卷 EXB84 1 M 57959L HR065 M OT OROLA M PD IR IR2110 EXB841 M 57959L HR065 , , IGBT ( EXB84 1 7. 5 V, M 57959L HR065 10 V) 图3　IGBT 的导通特性 3 1MBI50-090( 900 V-50 A ) 3 VGE = 15 V , 50 , CE = 7. 5 , 180 ; C