超宽带微波固态功率放大器研究-电路与系统专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 Dissertation Submitted to Hangzhou Dianzi University for the Degree of Master Study of Ultra Wide Band Microwave Solid-state Power Amplifier Candidate: Jia MinShi Supervisor: Prof. Cheng Zhiqun November, 2014 杭州电子科技大学 学位论文原创性声明和使用授权说明 原创性声明 本人郑重声明： 所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下，独立进行研究工作所取得 的成果。除文中已经注明引用的内容外，本论文不含任何其他个人或集体已经发表或撰写过 的作品或成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。 申请学位论文与资料若有不实之处，本人承担一切相关责任。 论文作者签名： 日期： 年 月 日 学位论文使用授权说明 本人完全了解杭州电子科技大学关于保留和使用学位论文的规定，即：研究生在校攻读 学位期间论文工作的知识产权单位属杭州电子科技大学。本人保证毕业离校后，发表论文或 使用论文工作成果时署名单位仍然为杭州电子科技大学。学校有权保留送交论文的复印件， 允许查阅和借阅论文；学校可以公布论文的全部或部分内容，可以允许采用影印、缩印或其 它复制手段保存论文。（保密论文在解密后遵守此规定） 论文作者签名： 日期： 年 月 日 指导教师签名： 日期： 年 月 日 杭州电子科 杭州电子科技大学硕士学位论文 摘 要 本文基于 GaN HEMT 设计了 S-C 波段的超宽带功率放大器。介绍了最近几年的宽带功率 放大器的研究状况以及功率放大器设计的种类指标参数的定义，介绍了目前宽带功率放大器 实现的方法，并设计制作了加电时序电路。共设计制作了三款宽带功率放大器模块，其中两 个 3-8GHz 中功率的宽带功率放大器模块（中级）和一个大功率（末级）的宽带功率放大器 模块。前者最大输出功率为 38.5dBm，后者输出功率为 45dBm。 首先本文查阅了九十年代以来国内外对超宽带射频功率放大器研究的成果和进展状况。 意识到了实现宽带大功率放大器的紧迫性。通过对当前国内外成果的调查，分析出了国内外 对宽带功率放大器已经研究的内容和未来发展的方向。 然后简单的讨论和分析了射频功率放大器的分类以及各自应用的特点。介绍了功率放大 器中基本的设计指标和参数，说明了在设计过程中应该注意那些问题。强调了“零”点电容的 作用，介绍了基于 GaN 的新型负反馈电路结构以及微带线理论，分析了微带线在匹配过程中 应该注意的问题。介绍了屏蔽腔体设计过程注意的事项以及整个设计要具有工程性。强调了 设计初始要了解整个微组装的流程。 最后仿真并制作了三个不同的 3-8GHz 的宽带功率放大器模块，驱动级最大输出功率为 38.5dBm，末级输出功率为 45dBm。利用 ADS 分别对放大器的芯片进行了建模，并且对金丝 键合线在 HFSS 中和 ADS 中的仿真模型进行了对比。本文对设计的功率放大器进行了加工制 作和测试并对仿真结果和测试结果进行对比与分析。另外还制作了加电时序电路，并进行了 测试。 本文采用的 TriQuint 公司的 GaN HEMT 芯片 TGF2023-02 和 TGF2023-20 两种裸片，分 别用于驱动级和末级的设计。设计中采用自己项目组建立的芯片模型，并使用键合线进行连 接微带线和芯片。设计的功率放大器工作在 AB 类，末级设计的 3-8GHz 宽带功率放大器，输 出功率为 45dBm。从目前检索的文献来看这是在国内外非常罕见的。 关键字：GaN HEMT、宽带、键合线、建模、功率放大器、负反馈电路 I ABSTRACT This thesis describes the design of S-C band HYPERLINK /dict_result.aspx?searchword=%C2%B3%C2%AC%C2%BF%C3%AD%C2%B4%C3%B8amp;tjType=sentenceamp;styleamp;t=ultra-wideb ultra-wideband microwave power amplifier based on GaN HEMT. The current broadband amplifier and design parameters and indicators of RF amplifier are introduced. The approachs of designing broadband amplifier is inductive and summaried. A pow