槽型SOI LDMOS集成功率器件及其保护电路-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 TRENCH TYPE INTEGRABLE SOI LDMOS AND ITS PROTECTION CIRCUIT A Thesis Submitted to University of Electronic Science and Technology of China Major: Microelectronics and Solid-State Electronics Author: Jiang Yongheng Advisor: Luo Xiaorong School : School of Microelectronics and Solid-State Electronics 独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作 及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方 外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为 获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与 我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的 说明并表示谢意。 作者签名： 日期： 年 月 日 论文使用授权 本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘， 允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全 部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。 （保密的学位论文在解密后应遵守此规定） 作者签名： 导师签名： 日期： 年 月 日 摘 要 摘 要 SOI (Semiconductor-On-Insulator) LDMOS (Lateral-Double-diffusion-MOSFET) 具有泄漏电流低、开关速度快、易于集成、驱动电路简单等优点，在智能功率集 成电路领域有广泛的运用。但是“硅极限”限制 SOI LDMOS 的发展。 根据摩尔定律，芯片的集成密度不断提高，功率密度也随之增加，这在功率集 成电路尤为明显。人为的失误或者意外可能导致负载过载或者输出短路，导致芯 片失效。为了保护芯片，电路中集成保护电路势在必行。 为缓解 SOI LDMOS 耐压和比导通电阻的矛盾关系，本文提出一种槽型 SOI LDMOS 功率器件，其具有两个特征：一是漂移区中有介质槽，二是采用延伸到埋 层的槽栅。介质槽有以下两个作用： 介质槽中的 SiO2 的低介电系数使其电场高于 Si 中的电场，提高器件耐压；折叠漂移区，减小器件尺寸。槽栅一方面在其侧面 形成积累层而减小导通电阻，另一方面实现高低压器件之间的隔离。文中研究了 漂移区长度为 3μm 槽型 SOI LDMOS 的比导通电阻 Ron.sp（specific on-resistance）、 耐压 BV（breakdown voltage）和动态特性。相同元胞尺寸下，槽型 SOI LDMOS 与 SOI C-LDMOS (Conventional-LDMOS)相比，BV 提高 156%，Ron.sp 降低 35%； 在相同的击穿电压下，槽型 SOI LDMOS 元胞尺寸减少 54%，Ron.sp 减少 74%。 本文设计了一种过温保护电路和过流保护电路。利用工作在亚阈值区的 MOS 的△VGS 的正温度及阈值电压的负温度系数特性来设计过温保护电路。过流保护电 路具有高电源抑制比、大迟滞范围和低功耗的特点。该过温保护电路无需三极管， 适用于 P 阱 CMOS (Complementary MOS)工艺。过温保护电路电源抑制比为 90dB、 上升沿的阈值温度为 150℃、下降沿的阈值温度为 110℃，有效防止热振荡。本文 设计的过流保护电路采用以源端为输入端的单管 MOS 作为比较器，具有电路简 单、采样误差小、适用于低边功率器件的特性。过流保护电路的并联采样管对输 出电流进行采样，将采样电流转化为电压信号，其过流阈值电压只有 0.1V~0.3V， 所以电流采样误差小。过流保护电路在输出电流为额定电流的 150%时采取过流 保护。 本文提出一个适合于槽型 SOI LDMOS 并与常规 CMOS 兼容的工艺流程。设 计了功率集成电路的版图，并进行流片、测试。流片的槽型 SOI LDMOS 采用 3 ×3 微米的介质槽。槽型 SOI LDMOS 的测试单管耐压为 170~190V、阈值电压为 I 摘要 3V，在栅压为 10V 时输出电流为 22mA。本文还分析了测试中发现的问题、提出 解决方案，并改进版图，第二次流片即将完成。 关键词：槽型，SOI，LDMOS，过温保护，过流保护 II ABSTRACT ABSTRACT Semiconductor On Insulator (