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- 约 60页
- 2018-10-21 发布于上海
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多壁碳纳米管的功能化及其性能研究-无机化学专业论文
摘 要
自从碳纳米管(CNTs)被发现以来,由于其具有独特的结构、 奇特的电学性能、很好的柔韧性,以及良好的化学稳定性、热稳定性 及吸附特性,使得它在电学、机械学和化学领域具有持续广泛的应用 前景。但 CNTs 的低溶解度和在常见有机溶剂中的低分散度制约了其 应用范围,随着 CNTs 制备技术的不断完善,通过一定的化学反应对 其进行化学改性和修饰已成为新的研究热点。本文旨在探索合成半导 体硫化物及磁性化合物与多壁碳纳米管(MWNTs)复合的新途径, 研究反应条件和规律及结构与性能的关系;探索多壁碳纳米管表面修 饰具有形成超分子能力的主体化合物(环糊精)的可能性,并研究其 分子识别性能,为合成新型功能化碳纳米管材料积累经验。
1.通过表面活性剂 SDS 非共价方式在多壁碳纳米管表面原位合 成粒子直径不超过 30nm 的金属硫化物 CdS、Ag2S 和 HgS,经 X 射 线粉末衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和荧光光谱测试表征。 该方法的特点是不破坏多壁碳纳米管的能级结构,为合成其它碳纳米 管基复合材料奠定基础。研究复合材料的光学性质,探索其结构与性 能的关系,这对于探讨碳纳米管的复合材料在光学领域的应用有潜在 的意义。
2. 分别尝试基于酰胺键和酯键的共价方式使多壁碳纳米管与具 有较好水溶性的 β-环糊精连接,产物经红外光谱( FT-IR)、紫外可 见吸收光谱(UV-Vis)、热重分析(TGA)测试表征。产物水溶性 较好,并用荧光光谱法研究了其对 β-萘酚的分子识别性能和包合作 用,为多壁碳纳米管基超分子的合成及应用积累了数据。
3.探索用非共价方式在不同表面活性剂的作用下在多壁碳纳米 管表面修饰粒子直径约为 12-15 nm 的 Fe3O4 磁性纳米粒子,产物经 XRD、TEM 和振动磁强计表征。通过改变 Fe 与 C 的摩尔比可以控制 Fe3O4 纳米粒子的粒径,进而得到磁性可控的碳纳米管基磁性复合材 料。这一研究为发展碳纳米管基磁性复合材料积累经验。
关键词:多壁碳纳米管 化学修饰 金属硫化物 β-环糊精 Fe3O4
磁性纳米粒子
Abstract
Since their discovery, carbon nanotubes (CNTs) have continuous, promising applications due to their unique structure, peculiar electrical capability, fine flexibility, good chemical stability, thermostability and adsorption property. But CNTs have poor solubility in water and many ordinary organic solvents, which restricts its research of application. As the preparation technology of CNTs becomes more and more consummate, chemical functionalization and modification of CNTs have become a new research hotspot. The purpose of this thesis is to probe new synthetic method for composites of semiconductor metal sulfides (CdS, Ag2S and HgS), magnetic nanoparticles and multi-walled carbon nanotubes (MWNTs); to study reaction condition, rules and relationship of structures and property; to explore the possibility of β-cyclodextrin (β-CD) modified on the surface of MWNTs and study the molecular recognition property, which accumulated experiences to synthesize new carbon nanotubes-based functional materials.
MWNTs were coated with metal sulfide (CdS, Ag2S and HgS) by an in-situ synthetic method
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