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第二章 光电探测器2-4 光生伏特器件; 一、光电池;(一)结构原理;;注意:
1、上、下电极区分
2、上电极栅指状目的
3、受光表面涂保护膜的目的;工作原理
当光作用于PN节时,耗尽区内的光生电子与空穴在内建电场力的作用下分别向N区和P区运动,在闭合的电路中产生输出电流IL,且在负载电阻上产生电压降U。; (二)光电池的分类
(1)按材料
硅光电池:光谱响应宽,频率特性好
硒光电池:波谱峰值位于人眼视觉内
薄膜光电池:CdS增强抗辐射能力
紫光电池:PN结0.2~0.3 μm,短波峰值600nm
按基底材料不同分 2DR(P型Si为基底)
2CR(N型Si为基底);(2)按结构分
阵列式:分立的受光面
象限式:参数相同的独立光电池
硅蓝光电池:PN结距受光面很近
阵列式 象限式;(3)按用途分
太阳能光电池:用作电源(效率高,成本低)
测量用光电池:探测器件(线性、灵敏度高等)
;(三)符号及电路;;2、伏安特性:光电流与电压的关系。
;3、输出功率;
;5、光谱特性:电路电流随波长变化情况
取决于所用材料与工艺
;6、温度特性:
;(五)应用; 2、光电池用作检测元件
利用其光敏面大,频率响应高,光电流与照度线性变化,适用于开关和线性测量等。
;3 、光电池零伏偏置电路;(六)硅光电池组合件
将几个光电池排成一行,集成在一块集成电路片子上,即成为阵列式的一维光电器件,也可以将几个光电池制成象限式的二维光电器件。
??? 这时衬底是共用的,而各光敏元都是独立的,分别有各自的前极引出线。这种器件的特点是,光敏元密集度大,总尺寸小,容易作到各单元多数一致,便于信号处理。
;2个并列的光电池可用来辨别光点移动的方向。
2~4个并列的光敏元,可用来收集光点移动的相位信息。
象限式光电器件可用来确定光点在二维平面上的位置坐标。多用于准直、定位、跟踪或频谱分析等方面。;;象限光电池组合件示意图;光斑中心位置的2象限检测电路;应用实例:光斑中心位置的4象限硅光电池检测;输出的偏离信号分别为;(2)直差电路
4象限硅光电池的坐标线与基准线成45°时,常采用直差电路。;象限测量存在的问题
光刻分割区有盲区,微小光斑受限制。
测量范围受限制,光斑不能全部落入某一象限。
测量精度受光强漂移影响。
非线性(常做为对准、瞄准用)。; 二、 光电二极管; 2、与光电池相比:
共同点:均为一个PN结,利用光生伏特效应, SiO2 保护膜
不同点:
(1)结面积比光电池的小,频率特性好;
(2)光生电势与光电池相同,但电流比光电池小;
(3)可在零偏压下工作,更常在反偏压下工作。;(一)基本结构与原理;光电二极管的电流方程
PN结的电流方程为; (二)性能参数
光照下PN结电压与光电流之间 关系
;(1)伏安特性
反向偏压与光电流之间的关系
;(2)光照特性:光电流与照度的关系
15V反向偏压时的光照特性曲线
;(3)光谱特性
影响因素:
材料:禁带宽度
设计工艺:PN结深度及表面处理
; (4)暗电流与噪声
在直流偏压下,暗电流是噪声的主要来 源;
暗电流主要包括反向饱和电流,势垒区的复合(或产生)电流以及表面漏电流。
环极的作用是:克制由于SiO2保护膜中的杂质正离子静电感应。
;(5)频率特性
是半导体光电器件中最好的一种,与下列因素有关:
结电容(小于20μμF) 和杂散电容
光生载流子在薄层中的扩散时间及PN结中的漂移时间 ; 要提高频率响应必须做到以下几点:
(1)合理的结面积(小的结面积可使Cj减小,但相同光照下,光电流也较小);
(2)尽可能大的耗尽层厚度;
(3)适当加大使用电压;
(4)减小结构所造成的分布电容。; 4、等效电路
光电二极管的输出电路及等效电路:由等效图可知:
计算上限频率
;(三)其他类型的光电二极管
1、光电二极管的分类
按材料
硅光电二极管
锗光电二极管
化合物光电二极管
按结特性:
PN结
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