光电技术（第2版）李岩-第2章光电探测器1.pptxVIP

第二章 光电探测器件;2-1 光电探测器基本特性;如果使用波长为λ的单色辐射源，则称为单色灵敏度 （又叫光谱灵敏度），用Rλ表示。 ;由于相对光谱响应更容易测得，因此常用相对光谱响应来表示。 以最大光谱响应为基准来表示各波长的响应，以峰值响应的50%之间的波长范围定义光电器件的光谱响应宽度。得到光电器件的相对光谱响应曲线。 ;二、响应时间和频率响应 光电器件输出的电信号都要在时间上落后于作用在其上的光信号，即光电器件的电信号输出相对于输入的光信号要发生沿时间轴的扩展，其扩展特性可由响应时间来描述。 光电器件的这种响应落后于作用光信号的特性称为惰性，由于惰性的存在，会使先后作用的信号在输出端相互交叠，从而降低了信号的调制度。如果探测器测试的是随时间快速变化的物理量，则由于惰性的影响会造成输出严重畸变。;表示时间响应选择性的方法主要有两种 ;（2）频率响应特性 通常定义光电器件的响应随入射光的调制频率而变化的特性为它的频率响应特性。;当器件的输出信号功率降到零频时的一半，即信号幅度下降到零频的0.707时，可得器件的上限截止频率 ;三、噪声等效功率 （NEP） 噪声等效功率又称为最小可测功率，它定义为光电器件输出的信号电压的有效值等于噪声方均根电压值时的入射光功率;实验发现，许多光电器件的NEP与器件的光敏面积A和测量系统的带宽Δf 的乘积的平方根成正比。因为面积大接收到的背景噪声功率也大，为了便于光电器件之间的性能比较，应该除去器件面积和测量带宽的影响。为此又引入归一化噪声等效功率 NEP* ;四、探测度D与比探测度D* 噪声等效功率NEP越小，光电器件的性能越好。但参数NEP不符合人们的传统认知习惯。为此定义NEP的倒数为光电器件的探测度。作为衡量光电器件探测能力的一个重要指标。探测度D用公式表示为 ;与归一化噪声等效功率相应的归一化探测度又称为比探测度，用D*表示。; D*后面常附有测量条件。 如D*(500K，900，1)表示是用500K黑体作光源，调制频率为900Hz，测量带宽Δf 为1Hz。 对于长波红外光电器件，因环境辐射??长与信号波长十分接近，因此D*的测量与背景温度及测量视场角有关。在没有特殊标注的情况下，通常是指视场立体角为2π球面度，背景温度为300K。 当光电器件的质量很高，内部噪声很低以至于可以忽略不计时，D*仅由背景噪声决定，这种器件称为达到背景限的探测器。 ;光谱探测度是在单位光谱功率下测得的，可以表示为 ;五、量子效率 是描述光电器件光电转换能力的一个重要参数。它是在某一特定波长下单位时间内产生的平均光电子数与入射光子数之比。 波长λ的光辐射的单个光子能量为hν＝hc/ λ ，设其光通量为Φ ，则入射光子数为Φ / hν ，相应的光电流为Is，而每秒钟产生的光电子数为Is/q，q为电子电荷，因此量子效率可以表示为 ;2－2 典型光电导器件－光敏电阻;2、结构 组成：它由一块涂在绝缘 基底上的光电导材料薄膜 和两端接有两个引线，封 装在带有窗口的金属或塑 料外壳内 。;; 光敏电阻二种基本形式 （1）梳状式 　 玻璃基底上蒸镀梳状金属膜而制成；或在玻璃基底上面蚀刻成互相交叉的梳状槽，在槽内填入黄金或石墨等导电物质，在表面再敷上一层光敏材料。如图所示。 ; （2）刻线式 在玻璃基片上镀制一层薄的金属箔，将其刻划成栅状槽，然后在槽内填入光敏电阻材料层后制成。其结构如下图所示。 ; （3）涂膜式 在玻璃基片上直接涂上光敏材料膜后而制成其结构如右下图所示。（蛇型） 光敏电阻在电路中的符号 ;（1）减电极间距可以提高增益； （2）增加载流子的寿命也可提高增益。 光敏面作成蛇形，电极作成梳状是因为这样即可以保证有较大的受光表面，也可以减小电极之间距离，从而既可减小极间电子渡越时间，也有利于提高灵敏度。; 3 、典型光敏电阻 （1）CdS：光谱响应特性最接近与人眼光谱光视效率V(λ)。CdS响应峰值在520nm ；CdSe响应峰值在720nm；调整S和Se的比例，可将响应峰值控制在520nm～720nm。 （2）PbS：光谱响应在近红外波段（例如1～3.5μm)。 （3）InSb：响应的长波长可达7 μm，峰值在6 μm附近。用液氮冷却到77K时，长波限缩短到5.5 μm，峰值在5 μm附近（大气窗口）。 （4）Hg1-xCdxTe：红外探测器中性能优良的探测器件