光电技术（第2版）李岩-第4章发光和光耦器件.pptxVIP

第四章 发光器件与光耦器件;4--1 半导体发光二极管（LED） 　　;1、发光二极管的发光机理 LED是一种注入电致发光器件。由P型和N型半导体组合而成。发光机理可分为PN结注入发光与异质结注入发光。 （1）PN结注入发光 ; PN结处于平衡时，存在一定的势垒区。注入发光的能带结构如图所示。当加正偏压时，PN结区势垒降低，从扩散区注入的大量非平衡载流子不断地复合发光，并主要发生在P区。 这是因为发光二极管在正向电压的作用下，电子与空穴做相对运动，即电子由N区向P区运动，而空穴向N区运动。因为电子的迁移率μN比空穴的迁移率μ p高20倍左右，电子很快从N区迁移到P区；N区的费米能级因简并而处于很高能级的位置;而P区的受主能级很深且形成杂质能带，因而减小了有效带隙的宽度。;; （2）异质结注入发光 为了提高载流子注入效率，可以采用异质结。图示为理想的异质结能带图。; 由于P区和N区的禁带宽度不相等，当加上正向电压时两区的价带几乎相同，空穴就不断地向N区扩散，这就保证了空穴向发光区的高注入效率。 对N区的电子，势垒仍然较高，不能注入P区。这样，禁带宽的P区成为注入源，禁带窄的N区成为载流子复合发光的发光区。 例如，禁带宽EG2＝1.32eV的P-GaAs与禁带宽EGl＝0.7eV的N-GaSb组成异质结后，N-GaAs的空穴注入N-GaAs区复合发光。由于N区研发射的光子能量hν比EG2要小得多，它 进入P区不会引起本征吸收而直接透射出去。因此，异质结发光二极管中禁带宽度大的区域（注入区）又兼作光的透射窗。;2、基本结构;（2）边发光二极管; 面发光LED面发光区光束的水平垂直发散角都约为120° 边发光LED的方向性要好些，其发散角水平方向为25 ° ~ 35 °,垂直 方向发散角约为120° ;; 几种典型发光二极管的发光效率与发光波长;（2）时间特性与温度特性 LED的时间响应为ns量级。 通常发光二极管的外部发光效率随温度上升而下降。;（3）发光亮度与电流的关系;（4）最大工作电流 在低工作电流下，LED发光效率随电路的增大而明显提高，但电流增大到一定值时，发光效率不再提高，相反发光效率会随工作电流的增大而降低。;若???光二极管的最大容许功耗为Pmax，则发光二极管的最大容许工作电流为;（5）伏安特性;（6）寿命 一般106小时以上，可达109小时 （7）响应时间 在快速显示时器件对信息反应速度的物理量。指器件启亮（上升）与熄灭（衰减）时间的延迟。 响应时间随电流增大而近似呈指数衰减。 一般GaAs1-xPx仅为几个ns，GaP约为100ns。;4、驱动电路;5、发光二极管的应用;文字显示器的原理电路;（2）指示、照明 例如：仪器指示灯，刻度尺、已有将红、橙绿三个管芯组装在一起的多色单体发光二极管 （3）光源 例如：光纤通信、光纤传感系统中的光源 ;4--2 半导体激光器;1、受激辐射;3、谐振腔;二、半导体激光器的结构 以PN结型二极管注入式激光器为例 结构与原理 GaAs LD;半导体激光器注入电流和输出功率的关系; 为了控制输出功率常采用功率自动控制电路（APC）,把激光器中监测光功率的光电二极管的输出和定值信号比较，以其差值控制半导体激光器的电源，保持输出功率的稳定。注入电流时应避免电流的突变，激光电源应有防止浪涌电流的措施，以免影响激光器寿命或造成损坏。 ;LD驱动电路1;LD驱动电路2;使用可见光波段的LD注意眼睛防护; 2、半导体激光的光谱线宽 半导体激光的辐射跃迁发生在大量能态组成的能带间，其自发辐射因子比气体激光器大得多，因而其增益普宽也比气体激光器大得多。例如He-Ne激光一般为10-4nm量级，而半导体激光器约在0.02nm~0.2nm之间，提高输出功率对改善线宽有益，但会影响器件寿命，新型半导体激光器的开发将会使线宽有很大的改进。 ;3、半导体激光的纵模 谐振腔的选频作用可得到一系列纵模 式中：nr为有源层的折射率，q为正整数。 双异质结GaAs半导体激光器的腔长L只有250μm，模间隔很大，但对于上述非常宽的光谱线宽，还是难于实现单纵模输出。 最有效的是以耦合理论为基础的分布反馈式半导体激光器（DFB）和以布拉格反射原理为基础的分布反射式半导体激光器（DFB），加强选频作用，并使相邻模抑制，实现单纵模输出，这将使干涉仪有良好的相干长度。 ;温度不变时输出功率与波长关系; 4、半导体激光器的远场特性及偏振态 半导体激光器的光场分近场和远场，近场为解理面上的横向光场分布，与激光的横模有关