电力电子第二次作业.docVIP

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  • 2018-10-24 发布于重庆
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电力电子第二次作业

祝钟剑 712168250002 1.???使晶闸管导通及维持晶闸管导通的条件分别是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答:导通:首先是晶闸管上有一个正向偏压,再者门极加上触发信号。并且保证AK之间的电流大于晶闸管本身规定的擎住电流,也就是必须大于这个最小导通电流值。这时候即使去掉触发信号,晶闸管也处于导通状态。 维持:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。? 关断:关断方式为自然关断,即AK间的电流小于擎住电流,或者在晶闸管两端施加一个反偏压,则晶闸管关断 如何防止电力MOSFET因静电感应引起的损坏? 答:电力MOSFET 的栅极绝缘层很薄弱,容易被击穿而损坏。MOSFET的输入电容是低泄漏电容,当栅极开路时极易受电干扰而充上超过20的击穿电压,所以为防止MOSFET 因静电感应而引起的损坏,应注意一下几点: 一般不用时讲其三个电极短接; 装配时人体、工作台、电烙铁必须接地,测试时所有仪器外壳必须接地; 电路中,栅、源极间长并联齐纳二极管以防止电压过高; 漏、源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。 试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。 答:比较如下表: 器 件 优 点 缺 点 IGBT 开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功

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