半导体制造技术金属化结果检测.pptVIP

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  • 2018-10-26 发布于上海
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半导体制造技术金属化结果检测

Company Logo LOGO 半导体制造技术-金属化 金属化质量测量 测试金属化的质量 质量参数 缺陷类型 1.溅射金属的附着 金属层没有附着在衬底上 2.溅射薄膜的应力 过多的剩余应力导致: 薄膜表面断裂 影响膜的附着 在一些材料中增加电阻 3.溅射的膜厚 金属层不满足膜的厚度要求 (如方阻偏离要求值) 4.电镀(电化学淀积或ECD) 金属薄膜的均匀性 薄膜厚度不均匀如下表示: 为高深宽比开口的不合适的间隙填充和台阶覆盖(在高深宽比通孔的底部和顶部膜厚不均匀) 整个硅片和从硅片到硅片淀积的膜厚不均匀 薄膜中有空洞 金属化检查及故障排除 测试金属化的质量 问题 可能的原因 纠正措施 1.金属薄膜台阶覆盖的质量下降 衬底的温度下降,因为在淀积期间,对铝合金的溅射淀积而言,台阶覆盖取决于硅片的温度 加热衬底以改进台阶覆盖,因为淀积金属原子的表面迁移率增加了 增加淀积速率 降低淀积速率。由于更多的原子到达表面降低了表面迁移率,因此溅射速率的增加可能降低台阶覆盖的质量 2.真空腔的完整性 腔体清理或在腔体中除气 检查真空系统的泄露情况,在腔体中的残留气体能改变膜的反射率 检查金属薄膜中的O2或N2,它们能改变膜的电阻率和应力 清理腔体,并烘烤水汽 除气或系统泄露 用氦泄露探测设备检查系统的泄露

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