电子电路设计训练（张杰斌）unit1知识课件.pptVIP

电子电路设计训练（模拟部分） 张杰斌 新主楼F414 zjb@buaa.edu.cn 电子信息工程学院 电子电路设计训练 考核方式： 模拟和数字各占50分 模拟部分： 考试50% 实验40%（完成实验20%+实验报告20%） 三人一组 平时表现 10% 课堂提问 课堂小测试 电子电路设计训练 课程内容： 1、集成电路及其产业发展 2、Eda软件的发展历程 3、Pspice语言 4、Multisim软件的使用 5、电源电路、放大电路设计 6、Cadence软件的使用 7、若干设计实例 电子电路设计训练 先修课程： 电路分析 模拟电子技术基础 数字电子技术基础 信号与系统 View of EDA 张杰斌 新主楼F414 zjb@buaa.edu.cn Simulating Part Unit 1 IC的发展带动EDA的进步 IC的生产由设计、制造、封装业组成 设计 封装 制造 集成电路发展历程 1950年：结型晶体管诞生； 1951年：场效应晶体管发明；　 1958年：集成电路产生，开创了世界微电子学的历史；　 1962年： MOS场效应晶体管发明； 1963年：首次提出CMOS技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺； 集成电路发展历程 1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路并研制出第一块门阵列（50门）；　 1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），标志着大规模集成电路出现； 1978年：64kb DRAM诞生，不足0.5cm2的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临；　 1988年：16M DRAM问世，1cm2大小的硅片上集成有3500万个晶体管 集成电路发展历程 1989年：486微处理器推出，25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺；　 1993年：66MHz奔腾处理器推出，采用0.6μｍ工艺；　 1995年：Pentium Pro（高能奔腾，686级的CPU ）, 133MHz，采用0.6-0.35μｍ工艺； 1997年：300MHz奔腾Ⅱ问世，采用0.25μｍ工艺；　 1999年：奔腾Ⅲ问世，450MHz，采用0.25μｍ工艺，后采用0.18μm工艺；　　 集成电路发展历程 2000年：奔腾4问世，1.5GHz，0.18μｍ工艺； 2001年：Intel 采用0.13μｍ工艺；　 2003年：奔腾4 E系列推出，采用90nm工艺； 2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工艺；。　 2007年： 基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。 2009年：intel酷睿i系列全新推出，采用的32nm工艺； 2011年底，intel14nm工艺芯片已经完成设计； 2013年，intel的14nm工艺CPU已经流片成功，计划两年内推出成熟产品。 目前市场上性能较好的CPU Intel 酷睿i7 3.6GHz 主频，32nm工艺。 摩尔定律 ????摩尔定律是由英特尔(Intel)创始人之一戈登?摩尔（GordonMoore）提出来的。其内容为：集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍，而价格下降一半；或者说，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔18个月翻两番。这一定律揭示了信息技术进步的速度。 世界集成电路产业 世界集成电路产业一直以3-4倍于国民经济增长速度发展。每年均增长17％。 世界超大集成电路生产的主流工艺水平是直径为12英寸(300mm)硅晶圆片，光刻精度（特征尺寸）为0.13微米，目前最高工艺水平已达到22nm、18英寸（450mm）水平。 衡量集成电路产业技术水平的两个重要参数是: 晶圆直径 特征尺寸 世界最高水平的单片集成电路芯片上所容 纳的元器件数量已经超过80亿个。 向SOC（System on Chip)发展 IC发展速度 1959 1970 2000 2005 特征尺寸 um 25 8 0.18 0.13 硅片直径 mm 5 30 200 300 电源 V 5 5 3 3 集成度 6 103 108 1010 MPU主频 Hz 800k 1G 5G DRAM bit 1k 1G 3G 管子价格 $ 10 0.3 10-6 10-8 世界IC市场 Intel (美) 297.5 ；Toshiba（日）112.1 ；NEC（日） 110.8；Samsung（韩） 108.0 ； Texas Instrument（美） 91.0 ；Motor