第三章 化物半导体.ppt

第三章 化合物半导体材料 前已述及，化合物半导体种类很多。有二元化合物半导体、三元化合物半导体、以及多元化合物半导体。 本章以Ⅲ-V族二元化合物半导体GaAs为主，重点介绍二元化合物半导体单晶材料的结构、性质及制备方法。 自从1952年威耳克( Welker )研究了Ⅲ-V族化合物半导体的性质以来，由于它们的独特能带结构与性质，Ⅲ-V族化合物的制备和应用方面都取得了巨大进展。 目前在微波器件，光电器件、霍尔器件(Hall DeYice)，以及红外探测器件等都有着广泛地应用。在国民经济中越来越发挥着重要作用。 砷化镓集成电路也日趋成熟，其运算速度比硅集成电路要快得多，特别是两种或两种以上的Ⅲ-V族化合物还能形成多元化合物半导体 （也称混晶）。 § 3 - 1 Ⅲ-V族化合物半导体的特性  一、Ⅲ-V族化合物半导体的一般性质 Ⅲ-V族化合物是由周期表中的ⅢA族和VA族元素按一定比例组合而成。见表6-1。 周期表中的ⅣA族元素半导体为金刚石、锗、硅和灰锡，都有四个价电子，Ⅲ 族原子比 Ⅳ族原子少一个价电子，而V族原于则比Ⅳ族多一个价电子。 因此Ⅲ-V 族化合物每个原子的平均电子数与Ⅳ族半导体的相同( 称为电子原理 )。 Ⅲ-V 族