退火温度对高纯钨靶显微组织和内应力影响.PDFVIP

退火温度对高纯钨靶显微组织和内应力影响.PDF

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退火温度对高纯钨靶显微组织和内应力的影响 1 1 1 2 1 崔子振     林岩松     石  刚    李  阳    张德智 (1  航天材料及工艺研究所ꎬ北京  100076) (2  航天长征睿特科技有限公司ꎬ天津  300462) 文  摘  采用热等静压工艺制备了高纯钨靶ꎬ并在不同温度下对其进行退火处理ꎮ 采用金相显微镜、 TEM、XRD和硬度计对不同温度退火的高纯钨靶的显微组织和内应力进行表征ꎮ 结果表明:高纯钨靶经 1 200℃真空退火后ꎬ保留了热等静压后的细晶组织ꎬ晶粒未发生长大ꎬ但是位错密度却大幅度减小ꎬ晶格畸变率 下降ꎬ硬度值降低ꎬ这是由于退火处理使热等静压高纯钨靶发生回复ꎬ内应力得以释放ꎮ 当退火温度低于1 200℃时ꎬ钨靶的内应力去除不完全ꎬ当退火温度高于1200℃时钨靶的晶粒开始长大ꎬ故热等静压高纯钨靶的 最佳退火温度是1200℃ꎮ 关键词  退火ꎬ高纯钨靶ꎬ显微组织ꎬ内应力 - 中图分类号:TU51 DOI:10.12044/ j.issn.1007 2330.2017.04.014 Effect of Annealing Temperature on Microstructure and Internal Stress of High Purity Tungsten Target 1 1 1 2 1 CUI Zizhen     LIN Yansong     SHI Gang     LI Yang     ZHANG Dezhi (1  Aerospace Research Institute of Materials & Processing TechnologyꎬBeijing  100076) (2  Aerospace Long March Arimt Technology Co.ꎬLtdꎬTianjin  300462) Abstract  High purity tungsten target wasprepared by hot isostatic pressing technique and annealed at different temperatures. Themicrostructureandinternal stressof highpuritytungstentargetwerecharacterizedby metallographic microscopeꎬTEMꎬXRDandhardnesstester.Theresultsshow that high purity tungstentarget after vacuum annealing at 1200℃ retainsthefinegrainstructureobtainedbyhotisostaticpressingtreatmentꎬgrainsizedoesnotgrow butthe dislocation densityꎬlatticedistortionandhardnessarereducedgreatly.Thisisduetothehighpuritytungstentargetby hot isostatic pressing generatesrecovery after annealing treatment and the internal stressisreleased. When the annea ̄ ling temperature is below 1200℃ꎬthe internal stress of tungsten target cannot

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