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第六章 重要术语解释 电容电荷存储时间：栅极输入信号改变使栅极输入电容存储或释放电荷的时 间。 沟道电导：当栅极电压趋近于极限零时，楼电流随着栅源电压的变化率。 沟道电导调制效应：沟道电导随栅极电压的变化过程。 沟道长度调制效应：JFET 处于饱和区时，有效沟道长度随漏源电压而变化。 电导参数：增强型MESFET 的漏电流与栅源电压的表达式中的倍数因子kn 截止频率：小信号栅极输入电流值与小信号漏极电流值一致时的频率。 耗尽型JFET ：必须加以栅源电压才能形成沟道夹断使器件截止的JFET 。 增强型 JFET ：栅极电压为零时已经夹断，必须加以栅源电压以形成沟道， 以使器件开启的JFET 。 内建夹断电压：沟道夹断时栅结上的总电压降。 输出电阻：栅源电压随漏极电流的变化率。 夹断：栅结空间电荷区完全扩展进沟道，以至于沟道被耗尽的自由载流子充 满的现象。 知识点 学完本章后，读者应具备如下能力： 叙述pn JFET 和MESFET 的基本工作原理。 讨论具有半绝缘衬底的GaAs MESFET 的沟道区中电流的分布情况。 大致绘出耗尽型JFET 的I-V 特性曲线。 讨论内建夹断电压和夹断电压是怎样定义的。