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1 IGBT的结构 IGBT N区体电阻 IGBT — Insulated Gate Bipolar Transistor §3-4 绝缘栅双极晶体管 静态特性： IGBT的特性 ★ 转移特性 ★ 输出特性 饱和区 ★ 饱和电压特性 2 动态特性： 钳位效应：与MOSFET相似 拖尾电流MOS已经关断，IGBT存储电荷释放缓慢 ★ IGBT的擎住（Latch）效应 SCR ★ 静态擎住 ★ 动态擎住 ★ 过热擎住 P区体电阻RP引发擎住 关断过急→位移电流 CJ—PN结电容 RG 不能过小，限制关断时间。 RP 及PNP、NPN 电流放大倍数 因温度升高而增大。 （125℃时ICM降至1/2） ★ IGBT的通态特性 ★ IGBT的电流容量 ★ 最大连续电流 IC ★ 最大脉冲电流 ICM ★ 最大开关电流 ILM 规定条件下，可重复开关电流的最大值。 ★ 允许短路电流 ISC ★ IGBT短路状态的失效机理 ★ 失效原因： ★ 短路保护 延时搜索 ①超过热极限：半导体本征温度极限250Co, 短路电流过大使管芯过热。 ② 关断过电压：分布和封装引线电感与短路大电流关断变化。 ③电流擎住效应 基本要求： Ic 较大时，增 IB 可降 Uces； 深度饱和与