组件杀手-太阳电池的热击穿-精选（公开课件）.pptVIP

序言 序言 P-N结的击穿 P-N结的击穿 P-N结的击穿 P-N结的击穿 P-N结的击穿 3. 热斑与热击穿 对太阳电池组件而言，热斑与热击穿都是指太阳电池的发热都是在反向偏压作用下产生的。即便是高效太阳电池（η≥17%），一旦有树木、建筑物、树叶、省屎鸟粪、天空浮云被部份或全部遮挡就会产生。而热击穿多数是组件中掺有低效率≤16.5%，有问题的太阳电池在阳光照射下，即使没有被任何物体遮挡，也会由局部发热直到损伤。而从实践来看，由高效太阳电池（η≥17%）热阻较小，装配组件基本上不会产生热击穿的。 综上所述，热击穿和热斑是有所关联的，后果虽然一致，但概念完全不一样。换言之，热击穿是由内因造成的热损坏，热斑效应是由外因造成的热损坏。 组件的热击穿 1、EL测试照片显示组件电池片碎片、裂片非常严重。72片中只有11片完整没有碎裂。第三串、第四串红点处均为热击穿造成P-N结损坏。从EL照片上看，因没有电注入少数载流子显现黑色。 2、假设3-11处橙红处，由于原先是隐裂，在环境作用下变为明裂断开。引用Wenham教授应用光伏学5-5热点过热（如图）。“坏”电池和二极管上消耗的能量约等于一个“好”电池的输出能量，这个消耗的能量是使“坏”电池发热的能量。“坏”电池处于热击穿的过程中，由于热产生大量载流子，这些载流子使晶片处于负阻状态，在反偏电压作用下又产生热，使结温升高直至P-N损坏。 组件的热击穿 组件的热击穿 肯定是消除组件层压过程中的裂片和隐裂。今天的隐裂就是明天的裂片。虽然，克服裂片和隐裂做了很多的工作，但现状还不尽人意的。 组件的热击穿 上面的案例应该是个案，但是产生“热击穿”的因素还是广泛存在着。 组件的热击穿 组件的热击穿 上述照片和红外相片是从光伏电站拍摄而得。见电池地方说明受热化冰了，红外相片，可以清楚看到发热的太阳电池发生了热击穿。但是一旦发生热击穿并不立即烧毁太阳电池的P-N结。这是因为组件处于户外低温环境中，热阻小散热条件较好。组件TPT玻璃均处于动态温度平衡之中。这个动态平衡温度远低于损坏P-N结时结温。故组件太阳电池不会损坏，但也不能说组件不存在质量问题。 组件的热击穿 组件的热击穿 组件的热击穿 组件的热击穿 组件的热击穿 EL成像下黑心片、黑斑片的照片： EL光强度和少子分布密度成正比： 黑斑与杂质原子分布无关： 黑斑处位错密度： 中心黑斑区域，位错密度107个/cm2 黑斑边缘区域，位错密度106个/cm2  无位错密度标准≤3000个/cm2 少子扩散长度与位错密度的关系： 扩散长度DL和EDP位错密度高的区域的关系图： 各个厂家硅片位错密度： 各个厂家硅片位错密度： 各个厂家硅片位错密度： 各个厂家硅片位错密度： 各个厂家硅片位错密度： 各个厂家硅片位错密度： 各个厂家硅片位错密度： 各个厂家硅片位错密度： 各个厂家硅片位错密度： 各个厂家硅片位错密度： 各个厂家硅片位错密度： 分析： 锅底料(拉制单晶硅棒结束时剩在石英坩埚内的硅料) 锅底料(拉制单晶硅棒结束时剩在石英坩埚内的硅料) 收尾掉苞的照片 分析： 总结 总结 1.近年来，单晶硅片供应商为了利益最大化，奉行只要单晶不掉苞就是好工艺。例无位错拉晶工艺要求籽晶用无位错拉晶切割，在拉晶过程中下种引颈长度要大于一个晶锭直径才能把位错排净，方可放肩。而现在引颈长度120-140mm完全低于6吋直径150mm单晶。 2.单晶收尾时锅底料要保证是投料量的10%左右，现在单晶供应商恨不得把坩埚内料全部拉完提尽。殊不知想多提走一点锅内料时，已造成坩埚内熔体过冷，一旦材料过冷必然掉苞。看起来完整收尾，实际早已掉苞，这样上返一个直径的单晶已是为错片。供应商把这些位错片完全轻而易举转嫁给用户。（见下图） 单晶的埚低还有较高浓度的C和金属杂质，回用的几率较小 分析： 3、在这个过程中EVA加热分解，EVA（乙烯-醋酸乙烯共聚物）分子式： 由于CO、CO2处于被TPT玻璃密封环境，气体压力急剧上升。当气体压力大于TPT与未燃烧EVA的粘结力时依据压力大小，在发热点处形成大小不一的凸泡。当然TPT在受热时也会强度降低。当气体压力大于TPT分子团之间引力时，TPT就爆穿了。玻璃破裂也是局部过热所致。众所周知，钢化玻璃一旦某一点破裂，就会导致整块玻璃溃裂。 （C2H4)x(C4H6O2)y mCO + nCO2 +pH2O 燃烧 改进措施 单晶电池TR图，揭示了组件光伏特性、光热特性，它们是存在有机的内