第三章门电路-精选（公开课件）.pptVIP

CMOS电路的特点 1. 功耗小：CMOS门工作时，一管导通，一管截止，几乎不由电源吸取电流，因此其功耗极小。 2. CMOS集成电路功耗低内部发热量小，集成度可大大提高。 3. 抗幅射能力强：MOS管是多数载流子工作，射线辐 射对多数载流子浓度影响不大。 4. 电压范围宽：CMOS门电路输出高电平VOH ≈ VDD，低电平VOL ≈ 0V。 5. 输出驱动电流比较大：扇出能力较大，一般可以大于50。 6. 在使用和存放时应注意静电屏蔽，焊接时电烙铁应接地良好。 六 CMOS电路的正确使用 输入电路的静电防护 输入电路的过流保护 七 CMOS数字集成电路的各种系列 4000系列 HC/HCT系列 AHC/AHCT系列 VHC/VHCT系列 LVC系列 ALVC系列 第五节 TTL电路和CMOS电路的接口 用TTL电路驱动CMOS电路 用CMOS电路驱动TTL电路 用TTL电路驱动CMOS电路 CMOS同TTL（OC）电源电压相同都为5V，则两种门可直接连接。 提高TTL门电路的输出高电平，阻值由几百到几千欧姆。 注：TTL（OC）门电路高电平典型值只有3.4V，CMOS电路的输入高电平要求高于3.5V。因此在TTL门电路输出端与电源之间接一电阻Rx。 用CMOS电路驱动TTL电路 CMOS门的驱动能力不适应TTL门的要求，可采用专用的CMOS—TTL电平转换器。 当用CMOS驱动TTL时 转换器 本章主要介绍了逻辑电路的基本概念和TTL、CMOS等集成逻辑门。 ? TTL电路输入级采用多发射极晶体管，输出级采用推拉式结构，所以工作速度较快，负载能力较强，是目前使用最广泛的一种集成逻辑门。应掌握好TTL门电气特性和参数。 ? MOS电路属于单极型电路，CMOS电路具有高速度、功耗低、扇出大、电源电压范围宽、抗干扰能力强、集成度高等一系列特点，使之在整个数字集成电路中占据主导地位的趋势日益明显。 小 结 习 题 3-1 3-2 3-7(a) 3-8 3-14 3-18 3-20 3-29 MOS管的结构和符号 返回 一 MOS管的开关特性 MOS管共源接法及其输出特性曲线 (a)共源接法 (b)输出特性曲线 返回 一 MOS管的开关特性 MOS管的转移特性 返回 一 MOS管的开关特性 MOS管的基本开关电路 返回 一 MOS管的开关特性 MOS管的开关等效电路 (a)截止状态 (b)导通状态 返回 一 MOS管的开关特性 N沟道增强型 一 MOS管的开关特性 MOS管的四种类型 P沟道增强型 P沟道耗尽型 N沟道耗尽型 P沟道增强型MOS管 返回 P沟道增强型MOS管的漏极特性 返回 用P沟道增强型MOS管接成的开关电路 返回 N沟道耗尽型MOS管的符号 返回 P沟道耗尽型MOS管的符号 返回 二 CMOS反相器的电路结构和工作原理 ? CMOS反相器 PMOS NMOS 衬底与漏源间的PN结始终处于反偏，NMOS管的衬底总是接到电路的最低电位，PMOS管的衬底总是接到电路的最高电位。 柵极相连作输入端 漏极相连作输出端 电源电压VDD＞VT1+|VT2|，VDD适用范围较大(3～18V)。 VT1--NMOS的开启电压; VT2--PMOS的开启电压。 工作原理： 1. 输入为低电平VIL = 0V时， VGS1＜VT1 T1管截止； |VGS2| ＞VT2 电路中电流近似为零（忽略T1的截止漏电流）,VDD主要降落在T1上，输出为高电平VOH≈VDD。 T2导通。 2. 输入为高电平VIH = VDD时，T1通T2止，VDD主要降在T2上，输出为低电平VOL≈0V。 实现逻辑“非”功能 二 CMOS反相器的电路结构和工作原理 电压传输特性和电流传输特性 输入端噪声容限 CMOS反相器的电压传输特性 CMOS反相器的电流传输特性 输入端噪声容限示意图 返回 三 CMOS反相器的静态输入特性和输出特性 输入特性  （a）CC4000系列的输入保护电路 （b）74HC系列的输入保护电路 三 CMOS反相器的静态输入特性和输出特性 输入特性  （a）CC4000系列 （b）74HC系列 三 CMOS反相器的静态输入特性和输出特性 输出特性 低电平输出特性 三 CMOS反相器的静态输入特性和输出特性 输出特性 高电平输出特性 四 CM