实验九、数字电桥测量电容和损耗因数电本.doc

实验九、数字电桥测量电容和损耗因数电本 实验九、用数字电桥测量电容值和损耗因数 一、 实验目的 1、 了解电容的损耗因数参数的作用 2、 掌握如何利用数字电桥测量电容值和损耗因数 二、 实验器材 DF2811A型数字电桥仪，若干电容和电感 三、 实验原理 1、电容器是我们经常使用的无源元器件之一，其参数主要有容量与 误差、额定工作电压、温度系数、绝缘电阻、损耗和频率特性等。电容的 电压和电流的关系为Uc 看，阻抗是其更为基础和重要的参数。 、电容的等效电阻和等效电感：阻抗是指在交流电情况下，元 件抵抗电流的作用，对于电容而言，就是指容抗，用公式表示就是Hidt。 另外，从实际应用的角度来?CZc?。它的计量单位与电阻一样是欧姆，而其 值的人小则和交流电的频率有关系，频率愈高则容抗愈小，频率愈低则容 抗愈大。 对于理想电容来说，其容抗就是公式所描述的值，相位角(？)在纯 电容是-90度，表明电压滞后电流90度。而在实际应用屮，由于制作工艺 的限制，并没有理想的电容，任何电容都或多或少地存在着一定的寄生特 性，特别是电容在频率较高的时候，就不容忽视。其等效模型如下图所示: 当频率很高时，电容不再被当做集总参数看待，寄生参数的影响不可 忽略。寄生参数包括Rs等效串联电阻（ESR）和Ls等效串联电感（ESL）o 电容器实际等效电路如图a所示，其中C为静电容，Rp为池漏电阻，也称 为绝缘电阻，值越大（通常在GQ级以上），漏电越小，性能也就越可靠。 因为Rp通常很大（GQ级以上），所以在实际应用屮可以忽略，Cda和Rda 分别为介质吸收电容和介质吸收电阻。介质吸收是一种有滞后性质的内部 电荷分布，它使快速放电后处于开路状态的电容器恢复一部分电荷。 ESR和ESL对电容的高频特性影响最大，所以常用如图（b）所示的串 联RLC简化模型，可以计算出谐振频率和等效阻抗： ESR是Equivalent Series Resistance的缩写，艮P “等效串联电阻”。理想 的电容自身不会有任何能量损失，但实际上，因为制造电容的材料有电阻, 电容的绝缘介质有损耗。这个损耗在外部，表现为就像一个电阻跟电容串 联在一起，所以就称为“等效串联电阻”。和ESR类似的另外一个概念是 ESL,也就是等效串联电感。早期的卷制电感经常冇很高的ESL,容量越大 的电容，ESL—般也越大。ESL经常会成为ESR的一部分，并且ESL会引起 串联谐振等现象。但是相对电容量来说，ESL的比例很小，出现问题的几 率很 小，后来由于电容制作工艺的提高，现在己经逐渐忽略ESL,而把ESR 作为除容量、耐压值、耐温值之外选用电容器的主要参考因素了。 串联等效电阻ESR的单位是毫欧（mQ ）。通常钽电容的ESR通常都在 100毫欧以下，而铝电解电容则高于这个数值，有些种类电容的ESR甚至 会高达数欧姆。ESR的高低，与电容器的容量、电压、频率及温度都有关 系，当额定电压固定时，容量愈大ESR愈低。同样当容量固定时，选用高 的额定电压的品种也能降低ESR；故选用耐压高的电容确实有许多好处; 低频时ESR高，高频时ESR低；高温也会造成ESR的升高。 因此，ESR的出现导致电容的行为背离了原始的定义。电容也不会是 -90°C,因此产生了相位角(0),以三角函数来看： 其中虚部为容抗，而实部为阻抗，因为感抗与容抗涉及到频率，故在 不同的工作频率下就会得到不同的(e )值。了解到电容中如果ESR的成 份越小，则此元器件越趋近于理想，这里我们定义了品质因数(Q)及损耗因 数(D): 、电容的损耗角正切值(损耗因数D): 其定义为：由于实际电容器相当于理想电容器串联一个等效电阻，当 电容器工作时，在电场的作用下，电容器的一部分电能会通过等效电阻R 产生无用有害的热能发热，这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。因此 通常用损耗角正切值来表示电容的寄生电阻。 D?tan??lPUIsin?(其中Cx为被测电容的容值，Rp为电容的寄生电阻， P??wCxRpPqUlcos? 为有功损耗，Pq为无功损耗，U是电容上的电压有效值，？为损耗角 其中有功功率P就是由漏电引起的损耗，无功功率Q是储存在电容器上的 能量与电源间能量交换的功率) 、电容的品质因数Cb 其定义为：电容在一个周期内储存的能量和消耗的能量之比，即实际 匕就是阻抗的虚部和实部之比。Q?2?Wml有用功？?WRD无用功 因此若RS = O,则Q变成无穷大，相对的D值=0。于是可以得到一 个结论：对元器件而言，Q越大越好，D值越小越好。 有的电容器上有一条金色的带状线，上面印有一个大大的空心字母“I”， 它表示该电容属于LOW ESR低损耗电容。有的电容还会标出ESR值(等效 串联电阻)，ESR越低，损耗越小，输出电流就越大，电容器的品质越高。 E