常见的磁控溅射镀膜原理及工艺.ppt

在高压作用下Ar原子电离成为Ar+离子和电 子，产生等离子辉光放电，电子在加速飞向 基片的过程中，受到垂直于电场的磁场影响， 使电子产生偏转，被束缚在靠近靶表面的等 离子体区域内，电子以摆线的方式沿着靶表 面前进，在运动过程中不断与Ar原子发生碰 撞，电离出大量的Ar+离子，与没有磁控管的 结构的溅射相比，离化率迅速增加10～100 倍，因此该区域内等离子体密度很高。 经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低， 摆脱磁力线的束缚，最终落在基片、真空 室内壁及靶源阳极上。而Ar+离子在高压电 场加速作用下，与靶材的撞击并释放出能 量，导致靶材表面的原子吸收Ar+离子的动 能而脱离原晶格束缚，呈中性的靶原子逸 出靶材的表面飞向基片，并在基片上沉积 形成薄膜。 3.4试验过程 3.4.1准备过程 （1）动手操作前认真学习讲操作规程及有 关资料，熟悉镀膜机和有关仪器的结构及功能、 操作程序与注意事项，保证安全操作。 （2）清洗基片。用无水酒精清洗基片，使 基片镀膜面清洁无脏污后用擦镜纸包好，放在 干燥器内备用。 （3）镀膜室的清理与准备。先向真空腔内充 气一段时间，然后升钟罩，装好基片，清理镀 膜室，降下钟罩。 3.4.2试验主要流程 （1）打开总电源，启动总控电，升降机上升， 真空腔打开后，放入需要的基片，确定基片位置 （A、B、C、D），确