嵌入式系统中的存储器2-精品·公开课件.ppt

第5章 嵌入式系统存储器（下） Flash—— 闪存 EPROM器件 Flash存储器基本概念 闪存，一种非易失性存储器 闪存是EEPROM的一个特例，与普通EEPROM相比，闪存采用基于块存储结构；闪存的读、写、擦除与传统EEPROM不同；闪存更易做到大容量、大集成度 Flash主要分两类： NOR flash和NAND flash 二者接口不同，应用对象也不一样，NOR常用于存储程序，也称code flash；而NAND常用于存储数据，也称data flash NAND与NOR的接口差别 NOR flash采用线性寻址，通过地址信号直接寻址内部的每一个字节 NAND器件采用8个I/O引脚用来传送控制、地址和数据信息，采用间接的寻址方式 NAND内部读和写操作以存储块为单位(如512字节) NOR的硬件接口与传统的SRAM类似，而NAND接口与IDE硬盘接口相似 NAND与NOR的接口 NOR FLASH ARM小系统中的NOR FLASH NOR Flash实例——W39L040A 台湾Winbond产品 工作电压： 3.3V单电压工作 4Mb，组织方式为512Kx8 读周期为70ns或90ns 典型的字节编程周期为9uS 内部由8个相同的块(sector)组成，每个块为64KB，每个块可单独擦除 整片擦除时间6秒，每块擦除时间0.7秒 20年的数据保存期 多种封装形式：PLCC32、STSOP32、DIP32、TSOP32 W39L040A结构与封装 W39L040A信号说明 W39L040A块地址 W39L040A总线操作类型 W39L040A芯片代码读取(编程器用) W39L040A读操作时序 W39L040A的写操作时序 W39L040A工作模式命令序列 W39L040A擦除操作流程 W39L040A擦除操作时序 W39L040A数据烧写流程 W39L040A字节编程命令时序 W39L040A写(擦除)状态指示 DQ7的应用：擦除操作进行中，读数据时DQ7总是为“0”，完成后读DQ7为“1”；写数据操作进行中，DQ7总是与实际被写的数的最高有效位相反，完成后变成一样 DQ6的应用：擦除操作进行中，读数据时DQ6总是在“0”和“1”之间来回变，完成后DQ6稳定下来；写数据操作进行中，总是在“0”和“1”之间来回变，完成后DQ6稳定下来 ARM7开发板中的NOR FLASH 课后阅读： W39L040 Datasheet HY29LV160 Datasheet NAND Flash U盘中的NAND FLASH MP4中的NAND FLASH 单片机＋USB HOST读写U盘 NAND Flash NAND Flash存储器是Flash存储器的一种 具有极高的单元密度，可以实现很大的存储容量，写入和擦除的速度快，常用于实现大容量固态数据存储 NAND Flash应用：手机、PDA、数码相机、数码摄像机、MP3播放器、便携式影音播放器、录音笔等。固态盘 Samsung、Toshiba、Hynix、Micron 单片容量已达到128G bit NAND Flash实例——K9F1208X0C Samsung产品 工作电压：单电源1.8V、2.7V或3.3V 存储单元组织(64M+2M)x8bits 1 page =(512+16)bytes 1 block= 32 pages =(512+16)x32 = (16K+512)bytes 1 device = 4096 blocks = (64M+2M)bytes 读、写以页为单位；擦除以块为单位 数据保存期10年 写擦除次数：10万次 K9F1208X0C封装 K9F1208X0C信号说明 K9F1208X0C内部结构 K9F1208X0C内部存储单元组织 K9F1208X0C的地址传输过程 K9F1208X0C操作命令 K9F1208X0C命令锁存时序 K9F1208X0C地址锁存时序 K9F1208X0C输入数据锁存时序 K9F1208X0C连续读数据的时序 K9F1208X0C页读命令1的时序 K9F1208X0C几种读命令的区别 K9F1208X0C连续多行读命令1 K9F1208X0C连续多行读命令2 K9F1208X0C页编程操作 K9F1208X0C地址指针设置 带指针设置的页编程操作命令序列 K9F1208X0C块擦除操作命令序列 K9F1208X0C块保护操作 K9F1208X0C块状态寄存器状态位 K9F1208X0C块状态寄存器读命令 K9F1208X0C器件状态寄存器 K9F1208X0C器件ID号读命令 K9F1208X0C复位命令 K9F1208X0C备用区数据分配 课后作业： 阅读K