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开关电源EMI产生机理及整改经验总结 整理：柏自飞 共模（CM）干扰 变换器工作在高频情况时，由于dv/dt很高，激发变压器线圈间、以 及开关管与散热片间的寄生电容，从而产生了共模干扰。如图1所示，共 模干扰电流从具有高dv/dt的开关管出发流经接地散热片和地线，再由高 频USN网络（由两个50 Q电阻等效）流回输入线路。 图1典型开关变换器中共模、差模干扰的传播路径 根裾共模干扰产生的原理，实际应用时常采用以下几种抑制方法： 1） 优化电路器件布置，尽量减少寄生、耦合电容。 2） 延缓开关的开通、关断时间。但是这与幵关电源高频化的趋势不 3）应用缓冲电路，减缓dv/dt的变化率。 差模（DM）干扰 开关变换器中的电流在高频情况下作开关变化，从而在输入、输出的 滤波电容上产生很高的di/dt,即在滤波电容的等效电感或阻抗上感应了干 扰电压。这 时就会产生差模干扰。故选用高质量的滤波屯容（等效电感或阻抗很 低）可以降低差模干扰。 辐射干扰的产生和传播 辐射干扰乂可分为近场干扰〔测量点与场源距离lt; A/6 （ A为干扰电 磁波波长））和远场干扰（测量点与场源距离gt;入/6）。由麦克斯韦电磁 场理论可知，导体屮变化的电流会在其周围空间屮产生变化的磁场，而变 化的磁场又产生变化的电场，两者都遵循麦克斯韦方程式。而这一变化电 流的幅值和频率决定了产生的电磁场的大小以及其作用范围。在辐射