可控硅工作原理与参数详解.pdfVIP

Auuthor: Jackie Loong  可控控硅参数详详解    可控硅全称称 “可控硅整整流元件”（Siilicon Controlled Rectifier），简写为SSCR，别名晶体闸 流管管 （Thyristor），是一种具具有三个 PN结结、四层结构构的大功率半半导体器件。可控硅体积积小、 结构构简单、功能能强，可起到变变频、整流、、逆变、无触触点开关等多多种作用，因因此现已被广泛应 用于于各种电子产产品中，如调光灯、摄像机机、无线电遥遥控、组合音音响等。  其原理图符符号如下图所所示：      从可控硅的的电路符号可可以看到，它和和二极管一样样是一种单方方向导电的器器件，只是多了一 个控控制极 G，正是是它使得可控控硅具有与二二极管完全不不同的工作特特性。可控硅硅是可以处理理耐高 压、大电流的大大功率器件，随着设计技术和制造技术术的进步，越越来越大容量量化  。   可控硅的基基本结构如下下图所示：    三个 PN结结 （J1、J2、J3）组成4层 P1‐N1‐P22‐N2结构的半半导体器件对对外有三个电电极， 由最最外层 P型半半导体材料引出的电极作为阳极 A，由由中间的 P型型半导体材料料引出的电极极称为 控制制极 G，由最外层的 N型半导体材料引引出的电极称称为阴极 K，它可以等效效成如图所示示的两 只三三极管电路。  下面我们来来看看可控硅硅的工作原理：  如下图所示示，初始状态态下，电压 V 施加到可控控硅的 A、K两个端，此时时三极管 Q11与 AAK Q2都都处于截止状状态，两者地地盘互不侵犯犯。  1 All rights reserved, NO Spreading without Authorization  Auuthor: Jackie Loong      此时 V 电压压全部施加到到 A、K两极极之间，这个允允许施加的最最大电压 V 即断态重复峰值 AK AK 电压压 V （Peak Repetitive  Off‐State VVoltage），相相应的有断态重复峰值电流流 I （Peaak  DRM DRM Repeetitive Off‐Sttate Current））    如下图所示示，电压V 施施加到 G、K两极后，Q22的发射结因因正向偏置而而使其导通，从而 GK 产生生了基极电流流 I ，此时QQ2 尚处于截止止状态，可控控硅阳极电流流 I 为 0，QQ1的基极电流流 I B2