GaN—第三代半导体曙光.pdfVIP

　第 20 卷第 2 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 2　 V o l N o 　1999 年 2 月　　　　　　CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S　　　　　　Fab. , 1999　 GaN ——第三代半导体的曙光 梁春广　　张　冀 ( 电子工业部第十三研究所　石家庄　050051) 摘要　自从蓝色 研制成功之后, 氮化物逐渐成为化合物半导体领域中一颗 GaN Ga InN L ED s 耀眼的新星. 简要介绍了 GaN 的基本特性. 探讨了材料的生长技术, 包括衬底的选择和外延方 法. 最后给出了 基器件, 如 、 、 和探测器等的发展现状, 同时描绘了氮化物 GaN L ED s LD s FET s 器件的应用领域和未来的发展前景. PACC: 7200, 7280 1　引言 在半导体产业的发展中, 一般将 、 称为第一代电子材料; 而将 、 、 、 、 及其合 Si Ge GaA s InP GaP InA s A lA s 金等称为第二代电子材料; 宽禁带(E g 2 3eV ) 半导体材料近年来发展十分迅速, 成为第三代电子材料, 主 ( ) 要包括 、 、金刚石和 等. 同第一、二代电子材料相比 表 1 , 宽禁带半导体材料具有禁带宽度 SiC ZnSe GaN 大, 电子漂移饱和速度高, 介电常数小, 导热性能好等特点, 非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度 集成的电子器件; 而利用其特有的禁带宽度, 还可以制作蓝、绿光和紫外光的发光器件和光探测器件. 表 1　 、 和宽带隙半导体材料的特性对比 Si GaA s 禁带宽度 热导率 电子迁移率 饱和速率 材料 带隙类型 熔点℃ - 1 - 1 2 - 1 - 1 介电常数 - 1 ( ) ( ) ( ) eV · · · · · W cm K cm V s cm s ( 1) Si 和 GaA s Si 间接 1. 119 1420 1. 40 1350