《4-1第四章_PN结1》精选课件.pptVIP

当p-n结上加有电压时，势垒高度和势垒厚度都将发生变化。如果外加的是正向电压，则势垒高度降低，使阻挡载流子往对方扩散的作用减弱，从而发生少数载流子的大量注入（大量电子从n型区注入到p型区，大量空穴从p型区注入到n型区）。注入到对方去的少数载流子首先是在势垒区边缘处积聚（积聚的有效范围就是少数载流子的扩散长度，p-n结的这个区域就称为扩散区）；然后再依靠浓度梯度往半导体内部扩散，从而形成较大的通过p-n结的电流——正向电流。显然，如此形成的p-n结正向电流是少数载流子的扩散电流。 4.2.2载流子的注入和抽取 4.2.2载流子的注入和抽取 如果在p-n结上外加的是反向电压，则势垒升高，使阻挡载流子往对方扩散的作用加强，这时将不会出现少数载流子的注入，从而不会有注入-扩散形成的反向电流；但是在势垒边缘处的少数载流子将要受到势垒中电场的作用，可以被抽取到对方，从而形成通过p-n结的反向电流，但这时因为总的少数载流子浓度很低，则在势垒边缘产生的浓度梯度很小，则少数载流子往势垒边缘处扩散的电流也很小，所以p-n结的反向电流很小。但应该强调的是这种微小的反向电流也是由于少数载流子在扩散区的扩散所形成的电流，属于扩散电流，并非漂移电流。 4.2.3耗尽区边载流子的浓度和偏压关系 零偏置时： 通过耗尽区的电流为漂移电流与扩散电流之差 零偏置时，处理平衡状态： 利用爱因斯坦关系式，可得： 对两边积分： A点应遵循空间电荷中性条件，多数载流子远大于少子 因此： 耗尽区边缘少数载流子浓度 可以想见，凡是与有 关的量，只要把其中的 改换成（ –V）后，就可把p-n结在热平衡下的所有关系推广到加有电压V的非平衡态去。 4.2.4准中性区内的扩散流 少子可以通过漂移和扩散两种方式流动。如果半导体材料的均匀掺杂区是准中性的，而且少数载流子并不是很小，那么少数载流子的流动将以扩散方式为主，下面证明之： 反证法：考虑少子电流并不是很小，有： 求导得 假使少子电流中漂移成份不可忽略即： 由于n远远大于p，则： 同样： 由于电子与空穴的迁移率大小差不多（数量级相同）： 得出结论： 与初始假设条件相矛盾，也就是说，少子电流漂移成份不可忽略假设是错误的。 也就是说： 准中性区少数载流子的流动是以扩散方式为主。 势垒电容 扩散电容 55 4.3 PN结电容 PN结电容 势垒电容 扩散电容 56 4.3 PN结电容 4.3.1 PN结的势垒电容 一、势垒电容 当外加电压周期性变化时，载流子则周 期性地流入或流出势垒区，相当于电容周期 地充电，放电。 因为耗尽层厚度W随着外加电压V而改变，则耗尽层中的空间电荷Q也将随着外加电压而改变，这就有p-n结的所谓电容效应。 4.3 PN结电容 4.3.1 PN结的势垒电容 四、势垒电容讨论 1、PN结势垒电容和平板电容的不同 电容随外加电压变化 势垒区内充满电荷 2、PN结势垒电容与 杂质浓度、杂质分布、 结 面 积、外加电压 有关 突 变 结 势 垒 电 容: 与 VD－V 的 1/2 次方成反比 线形缓变结势垒电容：与 VD－V 的 1/3 次方成反比 61 1 第4章 PN结 基本结构（空间电荷区） 工作原理（载流子浓度分布、输运） 电流电压特性（肖克莱方程） 电容效应（势垒电容、扩散电容） 击穿特性（雪崩击穿、隧道击穿、热击穿） 2 4.1 平衡PN结 一、PN结结构 二、空间电荷区 三、平衡 PN 结载流子分布 3 P N 4.1平衡PN结 4.1.1、PN结结构与杂质分布 一、PN结 在同一块半导体单晶中N型区与P型区的交界面以及交 界面两侧的过渡区，称为 PN结。 PN结 * * ★ p-n结的形成 p-n结的形成 ?控制同一块半导体的掺杂,形成pn结 (合金法; 扩散法; 离子注入法等) ?在p(n)型半导体上外延生长n(p)型半导体 同质结和异质结 ?由导电类型相反的同一种半导体单晶材料组成的pn结--同质结 ?由两种不同的半导体单晶材料组成的结—异质结 * * 工艺简介: ? 合金法—合金烧结方法形成pn结 ? 扩散法—高温下热扩散,进行掺杂 ?离子注入法—将杂质离子轰击到半导体基片中掺杂分布主要由离子质量和注入离子的能量决定（典型的离子能量是30-300keV,注入剂量是在1011-1016离子数/cm2范围），用于形成浅结 杂质分布的简化: ?突变结 ?线性缓变结 4 4.1平衡PN结 4.1.1、PN结结构与杂质分