利用汞541nm光谱线验证塞曼效应.PDF

利用汞 546.1nm 光谱线验证塞曼效应 郭伟轩 北京大学物理学院 2014 级 5 班 学号：1400011388 ( 日期：2017 年4 月21 日) 本实验利用气压扫描F-P 标准具以及光电倍增管测量了汞灯546.1nm 谱线在 1T 磁场下的分裂情况，得到了与理论值十分吻合的裂距以及与理论较为接近的子谱线 强度。我们还用实验结果反过来计算电子的荷质比，得到了与公认值十分接近的结果 e/m= C/kg。 PACS 32.60.+i 汞，光谱，塞曼效应 guoweixuan@pku.edu.cn 1 I. 塞曼效应描述了原子在磁场下的光谱分裂的一种现象。利用塞曼效应的原理，人 们可以通过光谱监测太阳表面磁场的变化情况。塞曼效应也被应用于了诸如磁光阱等 激光冷却的方法中。[1] 我们知道，在匀强磁场下，电子的哈密顿量可写为三项的和 [3] ： p (1a) L S (1b) B (1c) 与磁场有关的为 ，在磁场比较小时我们可以在 的本征矢 ⟩ 的 基础上用微扰论处理这一项。于是能量的一阶近似为 B ∆ ⟨ ⟩ (2) 从而，能级跃迁时分裂谱线的波数差可写为 ∆ ⟨ ⟩ ⟨ ⟩ (3) ℏ 其中， 为洛仑兹单位。 当电子自旋 时，谱线会分裂为三条，间距为1 个洛伦兹单位，这被称为正 常塞曼效应。反之，当 ̸ 时，谱线分裂的情况变得不同，这被称为反常塞曼效应。 根据选择定则，跃迁只发生于∆ 的能级之间。当我们垂直磁场观察时，我 们可以看到偏振方向平行于磁场的 线（∆ ）以及偏振方向垂直于磁场的 线 （∆ ）。 本实验中，我们将汞灯置于 1T 的外磁场，用扫描式