常见的第5章 半导体存储电路.pptVIP

2、静态存储单元 SR锁存器 门控管 字线 位线 读写控制电路 存储单元 *5.5.2 动态随机存储器( DRAM ) 1、单管动态MOS存储单元 破坏性读出 存储单元 需要配置灵敏恢复/读出放大器 5.5.3 掩模只读存储器——ROM 一、电路结构与原理 MOS 、二极管、三极管 地址译成控制信号 ①提高负载能力 ②三态控制，总线结构 1、简单的二极管ROM电路 1、简单的二极管ROM电路 存储矩阵(4个或门) 地址译码器(4个与门) 缓冲输出 位线 字线 地址线 2、数据表 1 1 0 1 0 1 1 1 1 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 地 址 A1 A0 d3 d2 d1 d0 内 容 3、容量表示 字线×位线 存储单元 4、MOS构成ROM电路 0 0 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 1 1 0 0 二、ROM的分类 3、EPROM 1、掩模ROM 2、PROM —programmable —Erasable —一出厂数据就“固化”了 2、可编程只读存储器——PROM （1）思想：出厂时存储数据全部为1，用户根据需要自行写入0，但一旦写入就无法修改。 （2）方法： 熔丝未熔为1 熔丝熔断为0 缺点： 只能写入一次 3、可擦除的PROM——EPROM （1）思想：可以多次重写，多次修改 （2）实现： （3）结构: 总体是一样，只是存储单元的结构不同 UVE－PROM—紫外线可擦除的PROM E2PROM—电可擦除的PROM Flash Memory—快闪存储器 （4）三者比较 UVEPROM E2PROM Flash Memory 存储单元 SIMOS (叠栅注入MOS) Flotox （浮栅隧道氧化层MOS） 写入类似EPROM，擦除类似E2PROM 特点 单MOS管 2个MOS管 单MOS，集成度高 击穿电压高 击穿电压高 结构简单，编程可靠 操作复杂，防止光照 读写时间长 擦除快 应用 ROM ROM U盘 5.5.4 存储容量的扩展 需要： 当一片ROM或RAM不能满足存储容量要求时，就需要将ROM或RAM组合起来，组成一个容量更大的存储器。 扩展方式： 位扩展方式 字扩展方式 字、位同时扩展方式 一、位扩展方式 例：用8片1024×1扩展成1024×8 方法：地址线共用，而数据线并行使用 二、 字扩展方式 例：用4片256×8扩展成1024×8 思路： (1) 访问1024个单元，必然有 10 根地址线； (2) 访问 256个单元，只需 8 根地址线，尚余 2 根地址线 ； (3) 设法用剩余的2根地址线去控制4个256×8RAM的片选端 。 （需要一个2线－4线译码器） 数据线共用，地址线扩展 二、 字扩展方式 各片RAM的地址分配 三、 字、位同时扩展方式 思路： 例：用RAM2114（1K×4）扩展成4K×8， 需要几片？ 8片 ——一般先位扩展再字扩展 5.5.5 用存储器实现组合逻辑电路 一个ROM的数据表 0 0 0 0 1 1 1 1 1 0 1 1 0 1 0 0 0 1 0 1 1 1 0 1 地 址 A1 A0 d3 d2 d1 d0 内 容 也是一个多输出组合逻辑电路的真值表 函数输出 变量输入 函数取值 例：试用ROM产生如下一组多输出逻辑函数 ①化成最小项之和形式 ②选择24×4的ROM ABCD—作为4个地址端、 Y1Y2Y3Y4—作为数据输出端 Y函数值—作为存储单元取值 ③画图 打点表示1 作业：P248－256 5.1，5.4，5.5 5.7，5.9，5.18(做第3列的三个) 5.10，5.12 5.27，5.28，5.31，5.36 * 光盘——有一类非磁性记录介质，经激光照射后可形成小凹坑，每一凹坑为一位信息。这种介质的吸光能力强、熔点较低，在激光束的照射下，其照射区域由于温度升高而被熔化，在介质膜张力的作用下熔化部分被拉成一个凹坑，此凹坑可用来表示一位信息。因此，可根据凹坑和未烧蚀区对光反射能力的差异，利用激光读出信息。 当CLK＝0 ， G7 、G8门被封锁， 主触发器Qm状态保持 G3 、G4门被打开， 从触发器Q状态？ 0 1 不变 Why Qm保持 工作原理－总结 当CLK＝1， G7 、G8门被打开，主触发器状态翻转， G3 、G4门被封锁，从触发器状态保持； 当CLK＝ ， G7 、G8门被封锁，主触发器状态保持， G3 、G4门被打开，从触发器状态翻转； 当CLK＝0， G7 、G8门被封锁，主触发器状态保持， G3 、G4门被打开，从触发器状态不变； 总结： 脉冲触发一时钟周期内只翻转一次 翻转发生在CLK下降沿 的时候 ②特性表 1* 0 1 Q Q Q* R S CLK