《纳米相陶瓷的制备》-精选·课件.ppt

纳米相陶瓷的制备 纳米陶瓷的优越特性 ： (ⅰ)超塑性：例如纳米晶金红石TiO2在低温下具有超塑性（极大的可拉伸性）。 (ⅱ)在保持原来常规陶瓷的断裂韧性的同时强度大大提高。 (iii)烧结温度可降低几百度，烧结速度大大提高。 （1）无压力烧结(静态烧结) 工艺过程：将纳米粉在室温下经模压成块状试样，然后在一定的温度下焙烧使其致密化(烧结)。 优点：无压力烧结工艺简单，不需特殊的设备，因此成本低。 缺点：烧结过程中易出现晶粒的快速长大及大孔洞的形成，结果试样不能实现致密化，使得纳米陶瓷的优点丧失。 掺稳定化剂的烧结 掺MgO的纳米ZrO2晶粒长大的速率远低于未掺稳定化剂MgO的ZrO2试样 素坯的密度和粒径随烧结温度的变化 ZrO2+稳定化Y2O3的纳米粉 1520K用2h烧结后粒径仅为150nm，相对密度达99％。 掺杂稳定剂的机理-1 杂质偏聚到晶界上并在晶界建立起空间电荷，从而钉扎（pinning)了晶界，使晶界移动性大大降低,阻止了晶粒的长大。 这里M为无掺杂时晶界的移动性，a为原子间距，C0为夹杂浓度, ?表征含有夹杂的晶界间交互作用。 掺杂稳定剂的机理-2 掺入物质的掺入改变了点的缺陷的组成与化学性质，从而阻止了粒径的增长。 (2)应力有助烧结(烧结-锻压法) 无团聚的粉体在一定压力下进行烧结称为应力有助烧结。 该工艺与无压力烧结工艺相比较,其优点是对于许多未掺杂的纳米粉，通过应力有助烧结可制得具有较高致密度的纳米陶瓷，并且晶粒无明显长大。 但该工艺要求的设备比无压力烧结复杂，操作也较复杂。 一步法和二步法 “一步法”：易升华的MgO, ZnO和纳米离子化合物可用直接蒸发形成纳米微粒后原位加压成生坯。 “两步法”：第一步是在惰性气体中(高纯He)蒸发金属，形成的金属纳米粒子附着在冷阱上；第二步是引入活性气体，例如氧，压力约为103 Pa，使冷阱上的纳米金属粒子急剧氧化形成氧化物，然后将反应室中氧气排除，达到约为103 Pa的真空度,用刮刀将氧化物刮下，通过漏斗进入压结装置．压结可在室温或高温下进行，由此得到的生坯。 纳米TiO2和ZrO2的烧结 应力有助烧结过程分析 在应力有助烧结过程中导致试样致密化的总烧结力(致密化驱动力)可表示如下: ?s= 2?/r + ?a 这里?s是总烧结应力，?为表面能，?a 为附加应力，r为粒子半径．应力有助烧结时，由于致密化驱动力的增加，从而提高了致密化速率，使最后密度接近理论密度。 附加应力的选择 在应力有助烧结过程中只有选择适当的附加应力才能实现高致密度，即附加应力应大于阈值应力才能使密度大幅度提高。 应力有助烧结过程中试样的应变行为 其中A和q为常数，?为附加应力，d为晶粒尺寸，n为应力指数，它主要取决于试样的开始密度?0，?0越大n越大。n对温度不太敏感，温度升高，n仅略有增加趋势。R为普适气体常量，Q为绝对温度T时的激活焓。 但无法解释纳米材料蠕变存在的不连续点。 与位错无关的模型 晶粒沿图中箭头的方向作相对的滑移，晶粒向孔洞的滑移就会产生新的附加表面积，这种表面积的产生所需的功由附加应力提供。当压制试样应力做的功等于晶粒相互滑移产生的新表面积的能量时就呈现出应变的域值行为，这时的附加应力称为阈值应力．当应力高于阈值应力时才会使应变重新开始。 纳米薄膜(nanofilm)的制备 纳米薄膜分两类，一是由纳米粒子组成的(或堆砌而成的薄膜)，另一类薄膜是指纳米粒子镶嵌(embedded)在另一种基体材料中的颗粒膜，即在纳米粒子间有较多的孔隙或无序原子或其它类材料． 纳米薄膜在光学、电学、催化、气敏等方面具有很多特性，因此具有广阔的应用前景． (1)纳米薄膜的制备方法 (ⅰ)液相法 (a)溶胶-凝胶法．该方法制备纳米薄膜的基本步骤如下：首先用金属无机盐或有机金属化合物制备溶胶，然后将衬底(如SiO2玻璃衬底等)浸入溶胶后以一定速度进行提拉，结果溶胶附着在衬底上，经一定温加热后即得到纳米微粒的膜．膜的厚度控制可通过提拉次数来控制。 (b)电沉积法．一般Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜可用此法制备。 (1)纳米薄膜的制备方法 (ⅱ)气相法 (a)高速超微粒子沉积法(气体沉积法)． 基本原理是：用蒸发或溅射等方法获得超微粒子，用一定气压的惰性气体作载流气体，通过喷嘴，在基板上沉积成膜． (a)高速超微粒子沉积法 美国喷气制造公司采用该工艺成功地制备出纳米多层膜，陶瓷-有机膜、颗粒膜等．右图是他们采用气体沉积法中的多喷嘴，转动衬底制备微粒的示意图。 (a)高速超微粒子沉积法 日本真空冶金公司的Seichio Kashu等人用的设备如右图所示．他们用此方法制备了各种金属纳米薄膜． (b)直接沉